VCSEL

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垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡(jiǎn)稱(chēng)VCSEL，又譯垂直共振腔面射型激光）是一種半導(dǎo)體，其激光垂直于頂面射出，與一般用切開(kāi)的獨(dú)立芯片制程，激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。在制作的過(guò)程中，VCSEL比邊射型激光多了許多優(yōu)點(diǎn)。邊射型激光需要在制作完成后才可進(jìn)行測(cè)試。若一個(gè)邊射型激光無(wú)法運(yùn)作，不論是因?yàn)榻佑|不良或者是物質(zhì)成長(zhǎng)的品質(zhì)不好，都會(huì)浪費(fèi)制作過(guò)程與物質(zhì)加工的處理時(shí)間。然而VCSEL可以在制造的任何過(guò)程中，測(cè)試其品質(zhì)并且作問(wèn)題處理，因?yàn)閂CSEL的激光是垂直于反應(yīng)區(qū)射出，與邊射型激光平行于反應(yīng)區(qū)射出相反，所以可以同時(shí)有數(shù)萬(wàn)個(gè)VCSEL在一個(gè)三英寸大的砷鎵芯片上被處理。此外，既使VCSEL在制造的過(guò)程需要較多的勞動(dòng)與較精細(xì)的材料，生產(chǎn)結(jié)果是可被控制的及更多可被預(yù)期的。

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡(jiǎn)稱(chēng)VCSEL，又譯垂直共振腔面射型激光）是一種半導(dǎo)體，其激光垂直于頂面射出，與一般用切開(kāi)的獨(dú)立芯片制程，激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。在制作的過(guò)程中，VCSEL比邊射型激光多了許多優(yōu)點(diǎn)。邊射型激光需要在制作完成后才可進(jìn)行測(cè)試。若一個(gè)邊射型激光無(wú)法運(yùn)作，不論是因?yàn)榻佑|不良或者是物質(zhì)成長(zhǎng)的品質(zhì)不好，都會(huì)浪費(fèi)制作過(guò)程與物質(zhì)加工的處理時(shí)間。然而VCSEL可以在制造的任何過(guò)程中，測(cè)試其品質(zhì)并且作問(wèn)題處理，因?yàn)閂CSEL的激光是垂直于反應(yīng)區(qū)射出，與邊射型激光平行于反應(yīng)區(qū)射出相反，所以可以同時(shí)有數(shù)萬(wàn)個(gè)VCSEL在一個(gè)三英寸大的砷鎵芯片上被處理。此外，既使VCSEL在制造的過(guò)程需要較多的勞動(dòng)與較精細(xì)的材料，生產(chǎn)結(jié)果是可被控制的及更多可被預(yù)期的。收起

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