一圖總結(jié)常見二維材料光電器件
結(jié)型器件:基于PN結(jié)、肖特基結(jié)或其延伸結(jié)構(gòu)的兩端器件,主要基于光生伏特效應(yīng)實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換,這類器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,光響應(yīng)度強(qiáng),是最為常見的光電探測(cè)器構(gòu)型。 單溝道2D-FET:該器件為三端器件,因此可以獲得材料基本的輸運(yùn)特性,場(chǎng)調(diào)控特性。相比于兩端器件,其柵控端也帶來了更大的調(diào)控自由度。FET結(jié)構(gòu)是比較普適的器件結(jié)構(gòu) 異質(zhì)結(jié)二維場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2D-FET):本結(jié)構(gòu)與單層溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的關(guān)鍵