AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)表

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)表

適用于頻率從136到520 MHz的移動(dòng)雙向無線電應(yīng)用。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能，使它們非常適用于移動(dòng)無線電設(shè)備中大信號(hào)的共源放大器應(yīng)用。

特點(diǎn)：

適用于136到520 MHz的操作
無與倫比的輸入和輸出，使其可以廣泛利用于不同頻率范圍
集成ESD保護(hù)
集成穩(wěn)定性增強(qiáng)
寬帶 - 全頻段全功率支持：
- 136-174 MHz
- 380-450 MHz
- 450-520 MHz
225℃可靠的塑料封裝
出色的熱性能
高線性度，適用于TETRA、SSB、LTE
成本效益高的過模制塑料封裝
帶卷軸膠帶包裝。R1后綴 = 500個(gè)單位，膠帶寬度24 mm，13英寸卷軸。

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器件型號(hào)	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價(jià)格	更多信息
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BTA16-800BW3G	1	onsemi	Triac, 3 Quadrant Internally Isolated, 50 mA IGT, 16 A IT(RMS) 800 V, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE	ECAD模型下載ECAD模型	$1.97	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。