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MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 寬帶射頻功率LDMOS晶體管數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25
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MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 寬帶射頻功率LDMOS晶體管數(shù)據(jù)手冊

射頻功率LDMOS晶體管 高韌性N溝道增強型橫向MOSFET?這些高韌性器件設計用于高駐波比的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應用。其無與倫比的輸入和輸出設計允許從1.8到600 MHz的廣泛頻率范圍使用。

特點

  • 無與倫比的輸入和輸出，可實現(xiàn)廣泛頻率范圍的利用
  • 設備可單端使用或采用推挽配置
  • 最大50 VDD操作的合格化
  • 在30到50 V范圍內進行特性化，以擴展功率范圍
  • 適用于具有適當偏置的線性應用
  • 集成ESD保護，具有更大的負柵源電壓范圍，以改善C類操作
  • 使用系列等效大信號阻抗參數(shù)進行特性化
  • 推薦驅動器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

推薦器件

更多器件
器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
IPP65R190CFDXKSA2 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, TO-220, 3 PIN
$4.41 查看
1757116 1 Phoenix Contact Barrier Strip Terminal Block, 12A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT
$12.43 查看
1N4148WS 1 FCI Semiconductor Rectifier Diode
$0.04 查看
恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

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