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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25
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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數(shù)據(jù)手冊

RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強模式側向MOSFET，這些高耐用性器件設計用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應用。其無與倫比的輸入和輸出設計使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內使用。

特點

  • 無與倫比的輸入和輸出，可實現(xiàn)廣泛的頻率范圍利用
  • 設備可單端使用或采用推挽配置
  • 最大50 VDD運行限制
  • 在30至50 V范圍內進行擴展功率測試
  • 適用于帶有適當偏置的線性應用
  • 集成ESD保護，具有更大的負柵源電壓范圍，以改善C類操作
  • 通過串聯(lián)等效大信號阻抗參數(shù)進行特性描述
  • 推薦驅動器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
1N4007GP-E3/54 1 Vishay Intertechnologies Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-204AL T/R

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.4 查看
B82462G4223M000 1 TDK Corporation General Purpose Inductor, 22uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2525, ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下載ECAD模型
$1.75 查看
CL05B104KO5NNNC 1 Samsung Electro-Mechanics Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 16V, ±10%, X7R, 0402 (1005 mm), 0.020"T, -55o ~ +125oC, 7" Reel
暫無數(shù)據(jù) 查看
恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

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