AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 寬帶RF功率LDMOS晶體管 - 數(shù)據(jù)表

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 寬帶RF功率LDMOS晶體管 - 數(shù)據(jù)表

RF功率LDMOS 晶體管、高耐用性N型增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET，設(shè)計(jì)用于頻率在136至520 MHz之間的移動對講無線電應(yīng)用。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能，使其成為移動無線電設(shè)備中大信號共源放大器應(yīng)用的理想選擇。

特點(diǎn)

適用于136至520 MHz操作
無與倫比的輸入和輸出，可實(shí)現(xiàn)廣泛的頻率范圍利用
集成ESD保護(hù) · 集成穩(wěn)定性增強(qiáng)功能
寬帶——全頻段滿功率輸出
異常的熱性能
極高的耐用性
高線性性能：TETRA，SSB，LTE
在膠帶和卷盤上提供。 R1后綴= 500個(gè)單元，44毫米膠帶寬度，13英寸卷盤

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器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	參考價(jià)格	更多信息
IPP65R190CFDXKSA2	1	Infineon Technologies AG	Power Field-Effect Transistor, TO-220, 3 PIN	$4.41	查看
1757116	1	Phoenix Contact	Barrier Strip Terminal Block, 12A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT	$12.43	查看
1N4148WS	1	FCI Semiconductor	Rectifier Diode	$0.04	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。