英飛凌

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥诘聡?guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號(hào)、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國(guó)加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。 收起 展開(kāi)全部

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  • 在華發(fā)展三十載,英飛凌深化本土化戰(zhàn)略
    中華區(qū)市場(chǎng)在英飛凌全球營(yíng)收中占比約三分之一(34%),是英飛凌全球占比最大的單一市場(chǎng)。
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    23小時(shí)前
    在華發(fā)展三十載,英飛凌深化本土化戰(zhàn)略
  • CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型
    之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性
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    06/24 12:38
    CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型
  • 多相電機(jī)的奇妙世界(1):從三相到多相的跨越
    本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品,來(lái)自華中科技大學(xué)劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。
    多相電機(jī)的奇妙世界(1):從三相到多相的跨越
  • CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析
    上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiC? MOSFET?G2的產(chǎn)品特性。那么在實(shí)際應(yīng)用中,G2如何進(jìn)行正確的選型呢?接下來(lái)兩篇文章會(huì)和大家仔細(xì)探討這個(gè)問(wèn)題。今天的文章將會(huì)主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。
  • 加速推動(dòng)“新質(zhì)工業(yè)”轉(zhuǎn)型:大聯(lián)大攜手芯片商共建智造芯生態(tài)
    面對(duì)以人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計(jì)算為代表的新質(zhì)生產(chǎn)力加速重構(gòu)制造業(yè)格局,全球工業(yè)體系正經(jīng)歷深刻重塑。在雙碳戰(zhàn)略驅(qū)動(dòng)與能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的背景下,工業(yè)系統(tǒng)邁入“能效優(yōu)化+系統(tǒng)智能”的革新周期。中國(guó)亦將“新型工業(yè)化”確立為國(guó)家戰(zhàn)略,加快推動(dòng)制造業(yè)向高端化、智能化、綠色化演進(jìn)。 2025年5月14日,由國(guó)際領(lǐng)先的半導(dǎo)體元器件分銷商大聯(lián)大控股主辦的“新質(zhì)工業(yè)·引領(lǐng)未來(lái)”峰會(huì)在深圳圓滿落幕。作為亞太地區(qū)領(lǐng)先的電子元
    加速推動(dòng)“新質(zhì)工業(yè)”轉(zhuǎn)型:大聯(lián)大攜手芯片商共建智造芯生態(tài)
  • CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述
    英飛凌新發(fā)布了CoolSiC? MOSFET Gen2系列產(chǎn)品,單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V Gen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,進(jìn)一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo),擁有更高的效率和功率密度。Gen2?SiC性價(jià)比提高了15%,是各種工業(yè)應(yīng)用的理想之選。
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    06/10 10:20
    CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述
  • 探索吉他音色與效果器的奇妙世界(2)- 失真類效果器
    為了得到失真音色,人們往往需要把音箱的音量開(kāi)到很大,這樣做不僅擾民,而且得到的聲音也很不穩(wěn)定,那么有沒(méi)有一種方法能夠在較小的音量下得到失真音色呢?隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,失真類效果器應(yīng)運(yùn)而生。
  • 探索吉他音色與效果器的奇妙世界(1)- 缺陷創(chuàng)造的美
    如果你是一位音樂(lè)愛(ài)好者,當(dāng)你戴上耳機(jī),聆聽(tīng)著美妙的音樂(lè)時(shí),吉他那多變的音色一定能夠吸引你的注意。它時(shí)而清脆明亮,仿佛陽(yáng)光燦爛;時(shí)而沉穩(wěn)厚重,帶著歲月的厚重感;時(shí)而又尖銳狂放,如同沖破束縛的熱情。
  • 一枚發(fā)電機(jī)葉片的獨(dú)白
    我是一枚發(fā)電機(jī)上的葉片。出生不久,我就開(kāi)始審視自己的身體:身上滿是絕妙飄逸的曲線,身材完美豐盈,真是美的不可方物。我開(kāi)始無(wú)限自戀起來(lái)。如果看一下自己的體重,說(shuō)實(shí)話愛(ài)上自己的身體不免有些讓人害羞,然而我迷戀的不僅是自己的美,還有各種大小不一的自己。
    一枚發(fā)電機(jī)葉片的獨(dú)白
  • 柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用
    碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用,其潛力毋庸置疑。然而,從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來(lái)看,仍存在一個(gè)難題:即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù),但其它標(biāo)準(zhǔn),例如可靠性,也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對(duì)于不同的應(yīng)用,導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此,合理的器件定義應(yīng)當(dāng)保證設(shè)計(jì)靈活性,以滿足不同的任務(wù)需求,無(wú)需大量設(shè)計(jì)工作和設(shè)計(jì)布局變化。
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    05/27 11:30
    柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用
  • 碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相
    在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開(kāi)這些誤區(qū)的真相(誤區(qū)一見(jiàn):碳化硅何以英飛凌?—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。
  • 英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)
    SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四個(gè)支柱簡(jiǎn)單講,就是技術(shù),質(zhì)量,產(chǎn)量和產(chǎn)品。垂直結(jié)構(gòu)的功率MOSFET(如CoolSiC?器件)通過(guò)體二極管提供反向?qū)窂?,可以用作變流器中的續(xù)流二極管。由于SiC的寬帶隙,該二極管的轉(zhuǎn)折電壓VT約為3V,相對(duì)較高。這意味著完全依賴其續(xù)流,連續(xù)工作將導(dǎo)致高導(dǎo)通損耗。
  • 元器件交易動(dòng)態(tài)周報(bào)-本土汽車、消費(fèi)電子的強(qiáng)勁表現(xiàn)帶動(dòng)功率器件需求上升
    核心觀點(diǎn): 2025年4月,中國(guó)汽車產(chǎn)銷增長(zhǎng)強(qiáng)勁,推動(dòng)功率器件需求提升,尤其車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化空間大。二季度消費(fèi)電子旺季,且國(guó)補(bǔ)政策影響下,需求穩(wěn)定。交貨周期方面,主流廠商的低壓與高壓Mosfets、IGBTs交貨周期多呈上升態(tài)勢(shì),行業(yè)供應(yīng)偏緊。價(jià)格上,二極管價(jià)格微增,Mosfets價(jià)格下降,但整體行業(yè)呈現(xiàn)量增價(jià)穩(wěn)趨勢(shì)。 三大維度解讀功率器件最新供需動(dòng)態(tài): 市場(chǎng)需求分析 圖 | 二極管四方維商品動(dòng)
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    05/19 10:00
    元器件交易動(dòng)態(tài)周報(bào)-本土汽車、消費(fèi)電子的強(qiáng)勁表現(xiàn)帶動(dòng)功率器件需求上升
  • 從“芯片主導(dǎo)”到“軟件定義”,汽車產(chǎn)業(yè)如何破局?
    目前,AUTOSAR仍是行業(yè)主流標(biāo)準(zhǔn),它通過(guò)分層架構(gòu)(如基礎(chǔ)軟件層、運(yùn)行時(shí)環(huán)境層和微控制器抽象層)實(shí)現(xiàn)硬件依賴解耦,并依托標(biāo)準(zhǔn)化接口定義與模塊化設(shè)計(jì),為車企及供應(yīng)商提供兼具可擴(kuò)展性和定制化的開(kāi)發(fā)支持,在傳統(tǒng)控制器領(lǐng)域仍占據(jù)主導(dǎo)地位。
    從“芯片主導(dǎo)”到“軟件定義”,汽車產(chǎn)業(yè)如何破局?
  • 營(yíng)收最高40億!盤(pán)點(diǎn)德州儀器、恩智浦、安森美、英飛凌、村田最新財(cái)報(bào)
    在美國(guó)喊出全球關(guān)稅后,各大芯片廠的財(cái)報(bào)會(huì)似乎都暗流涌動(dòng)。美國(guó)方面,德州儀器和安森美營(yíng)收高于市場(chǎng)預(yù)期,但管理層也透露,關(guān)稅暫未影響到第一季度,但對(duì)市場(chǎng)前景抱謹(jǐn)慎態(tài)度。歐洲方面,恩智浦英飛凌都認(rèn)為行業(yè)顯示出復(fù)蘇跡象,但關(guān)稅將會(huì)影響到下半年的財(cái)務(wù)表現(xiàn)。日本方面,村田上個(gè)財(cái)年?duì)I收和利潤(rùn)都得到增長(zhǎng),但一季度的凈利潤(rùn)遠(yuǎn)低于市場(chǎng)預(yù)期,村田還示警,智能手機(jī)疊加關(guān)稅印象
    營(yíng)收最高40億!盤(pán)點(diǎn)德州儀器、恩智浦、安森美、英飛凌、村田最新財(cái)報(bào)
  • 英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)
    今天繼IGBT后,我們有了SiC MOSFET這一革命性的技術(shù),也有了創(chuàng)新的產(chǎn)品,我們思考一下、預(yù)測(cè)一下碳化硅的潛力有多大,碳化硅能夠改變什么。
  • 英飛凌EiceDRIVER?:寬禁帶時(shí)代的驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新之路
    左一英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù) 高級(jí)主任工程師 鄭姿清 (Ziqing Zheng) 左二英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū) 產(chǎn)品經(jīng)理 黎嘉健 (Miles Li) 在巨量計(jì)算、能源轉(zhuǎn)型和電動(dòng)交通推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體正進(jìn)入以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶方案新時(shí)代。它們不僅提升了器件本身的性能,更帶動(dòng)了全系統(tǒng)工程性能的重構(gòu)。作為功率器件與控制單元之間的關(guān)鍵環(huán)節(jié),驅(qū)動(dòng)器技術(shù)迎來(lái)了新一輪的
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    04/30 16:56
  • 碳化硅何以英飛凌?—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相
    全社會(huì)都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型,而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu)中,相比于從前,一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的,但是這種多層級(jí)的能源轉(zhuǎn)換,每一步都會(huì)帶來(lái)一定的能耗損失,因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。
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    04/24 10:05
    碳化硅何以英飛凌?—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相
  • 25億美元,英飛凌收購(gòu)美滿電子汽車以太網(wǎng)業(yè)務(wù)
    全球半導(dǎo)體行業(yè)再現(xiàn)重大并購(gòu)。4月7日,汽車芯片巨頭英飛凌(Infineon)宣布與美滿電子(Marvell Technology)達(dá)成最終協(xié)議,將以25億美元(約合182.22億元人民幣)現(xiàn)金收購(gòu)后者汽車以太網(wǎng)技術(shù)業(yè)務(wù)。該交易預(yù)計(jì)將于2025年內(nèi)完成,目前正等待監(jiān)管審批。
    25億美元,英飛凌收購(gòu)美滿電子汽車以太網(wǎng)業(yè)務(wù)
  • 走進(jìn)英飛凌無(wú)錫工廠,見(jiàn)證30年成長(zhǎng)路
    1995年,英飛凌(原西門(mén)子半導(dǎo)體事業(yè)部)進(jìn)入中國(guó),在無(wú)錫建立了第一家工廠,開(kāi)啟在華發(fā)展的篇章。 1999年,西門(mén)子將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)剝離成立英飛凌科技(以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”),彼時(shí)這家公司僅擁有5 萬(wàn)名員工,主要生產(chǎn)消費(fèi)電子芯片,無(wú)錫工廠也因此同步更名為英飛凌無(wú)錫。 2001年,英飛凌無(wú)錫工廠率先引入分立器件和智能卡芯片生產(chǎn)線,奠定了領(lǐng)先制造工藝的基礎(chǔ)。 2013年,啟動(dòng)智能工廠建設(shè),開(kāi)啟數(shù)字化轉(zhuǎn)型之路 2015年,英飛凌半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司正式成立,加速在華智能制造步伐。 從2018年至今,英飛凌無(wú)錫工廠不斷豐富本土生產(chǎn)的產(chǎn)品組合,同時(shí)提升相關(guān)制造能力和工藝水平。
    走進(jìn)英飛凌無(wú)錫工廠,見(jiàn)證30年成長(zhǎng)路

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