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  • DRAM技術(shù)簡單科普
    以下是關(guān)于?DRAM(Dynamic Random Access Memory)技術(shù)原理的詳細(xì)解析,涵蓋生產(chǎn)制造、Rank 與 Bank 內(nèi)部結(jié)構(gòu)、ODT 作用及讀寫方式和LPDRAM、DDR產(chǎn)品迭代。
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    04/15 16:55
    DRAM技術(shù)簡單科普
  • 曦智科技全球首發(fā)新一代光電混合計(jì)算卡
    曦智科技正式發(fā)布全新光電混合計(jì)算卡“曦智天樞”。曦智科技創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官沈亦晨博士在發(fā)布現(xiàn)場表示:“曦智天樞首次實(shí)現(xiàn)了光電混合計(jì)算在復(fù)雜商業(yè)化模型中的應(yīng)用,是曦智科技光電混合算力技術(shù)在產(chǎn)品化和商業(yè)化進(jìn)程中的重要突破。我們堅(jiān)信,光電混合將會(huì)為人工智能、大語言模型、智能制造等領(lǐng)域帶來算力革新?!?天樞是一款深度融合光芯片與電芯片各自優(yōu)勢特點(diǎn),并采用了3D先進(jìn)封裝技術(shù)的可編程光電混合計(jì)算卡。該產(chǎn)品在光
    曦智科技全球首發(fā)新一代光電混合計(jì)算卡
  • 先進(jìn)封裝技術(shù)之爭 | 巨頭手握TSV利刃壟斷HBM市場,中國何時(shí)分一杯羹?
    “TSV是能實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部上下互聯(lián)的技術(shù),可以使多個(gè)芯片實(shí)現(xiàn)垂直且最短互聯(lián)”,AI算力帶動(dòng)TSV由2.5D向3D深入推進(jìn),HBM異軍突起,前道大廠憑借積淀的制造優(yōu)勢繼續(xù)壟斷并瓜分全部的市場份額,在新應(yīng)用催化下,也為后端封測廠和TSV設(shè)備公司帶來了市場機(jī)會(huì)。
    先進(jìn)封裝技術(shù)之爭 | 巨頭手握TSV利刃壟斷HBM市場,中國何時(shí)分一杯羹?
  • 先進(jìn)封裝核心技術(shù)之一:TSV
    在先進(jìn)封技術(shù)中,TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)是一種關(guān)鍵的垂直互連技術(shù),它通過在芯片內(nèi)部打通的通道實(shí)現(xiàn)了電氣信號的垂直傳輸。TSV可以顯著提高芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸效率,減少信號延遲,降低功耗,并提升封裝的集成密度。以下是對TSV技術(shù)的詳細(xì)解釋。
    先進(jìn)封裝核心技術(shù)之一:TSV
  • 一文讀懂先進(jìn)封裝的四大要素?TSV、Bump、RDL、wafer
    先進(jìn)封裝的四大要素——TSV(硅通孔)、Bump(凸點(diǎn))、RDL(重布線層)、Wafer(晶圓)——在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔(dān)的功能,從不同維度推動(dòng)了芯片小型化、集成度和性能的提升。
    一文讀懂先進(jìn)封裝的四大要素?TSV、Bump、RDL、wafer
  • TGV與TSV各用在哪些芯片的先進(jìn)封裝中?
    學(xué)員問:TGV和TSV有哪些差異?在什么情況下更適合用TGV,什么情況下更適合用TSV?
  • TSV工藝流程介紹
    學(xué)員問:用于2.5D與3D封裝的TSV工藝流程是什么?有哪些需要注意的問題?上圖是TSV工藝的一般流程。TSV,全名Through-Silicon Via,又叫硅通孔工藝。

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