ALD

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  • 一文了解原子層沉積(ALD)薄膜制備技術
    CVD?技術是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學反應來進行薄膜生長的過程，較短的工藝時間以及所制備薄膜的高致密性，使?CVD?技術被越來越多地應用于薄膜封裝工藝中無機阻擋層的制備。
    一文了解原子層沉積(ALD)薄膜制備技術
  • ALD（原子層沉積）與ALE（原子層刻蝕）的區(qū)別解析
    ALD（Atomic Layer Deposition）：原子層沉積是一種逐層生長薄膜的工藝。每個循環(huán)通過“自限性反應”，將化學前體逐層吸附并反應，沉積一個原子層的材料。目標：構建具有高均勻性、無缺陷、埃級厚度精度的薄膜。
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    01/17 08:40
    ALD
    ALD（原子層沉積）與ALE（原子層刻蝕）的區(qū)別解析
  • 原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）詳解
    ALD 是一種精確的薄膜沉積技術，其核心原理是利用化學反應的“自限性”，以原子或分子層為單位逐層生長薄膜。具體過程包括：前體吸附：將化學前體（Precursor）引入反應室，前體分子在襯底表面發(fā)生吸附，形成單分子層。
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    01/15 08:45
    原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）詳解
  • ALD,ALE與傳統(tǒng)技術相比的優(yōu)勢？
    學員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術相比，有什么優(yōu)勢？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結構中，由于氣體進出受到了物理限制，側壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。
  • 先進邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴大， 芯片內部立體結構日趨復雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質薄膜、導電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納
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    2024/12/10
    先進邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
  • 越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設備——北方華創(chuàng)
    美日荷相繼加大對華半導體設備出口限制，國產替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導體消費市場，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產率僅 20%、半導體設備國產化率為 35%、高端刻蝕機等關鍵領域國產化率不足 10%。隨著國產晶圓廠的逆勢擴張、海外制裁趨緊，本土半導體設備廠商有望擴大份額，預計2025年國產化率將達50%。 前面文章我們分析了國產半導體設備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導體
    1.4萬
    2024/11/26
    越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設備——北方華創(chuàng)
  • 5nm已量產，3nm還會遠嗎？重要性比肩光刻機的刻蝕設備——中微公司
    晶圓制造設備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中最重要的三類設備。 根據(jù)Gartner統(tǒng)計的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導體前道設備中，干法刻蝕設備市場年均增速超過15%，化學薄膜設備市場年均增速超過14%，這兩類設備增速遠高于其他種類的設備。 圖|20
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    2024/11/12
    5nm已量產，3nm還會遠嗎？重要性比肩光刻機的刻蝕設備——中微公司
  • 在使用ALD工藝沉積氧化物時，如何確保反應完全且薄膜厚度可控
    原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）是一種精密的薄膜沉積技術，被廣泛應用于半導體、光電子和納米技術領域。在沉積氧化物薄膜時，確保反應完全并控制薄膜厚度是至關重要的，這直接影響到薄膜的質量和性能。本文將探討如何在使用ALD工藝沉積氧化物時，確保反應完全并控制薄膜厚度。
  • ALD（原子層沉積）與CVD的異同點有哪些
    ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）和CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）是常用的薄膜沉積技術，在材料科學、納米技術和半導體工業(yè)等領域有著廣泛的應用。雖然它們都用于沉積薄膜，但在原理、工作機制和特點上存在著一些顯著的不同。
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    2024/08/16

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