ALD,ALE與傳統(tǒng)技術相比的優(yōu)勢？

知識星球（星球名：芯片制造與封測技術社區(qū)，星球號：63559049）里的學員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術相比，有什么優(yōu)勢？

先說傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結構中，由于氣體進出受到了物理限制，側壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

薄膜覆蓋在孔洞底部部分會比較薄，而孔口則沉積的較厚。當深寬比不斷增大時，孔口由于太厚會出現(xiàn)封口現(xiàn)象，而孔內未完全填充而出現(xiàn)空洞。

ALD 是一種逐層沉積的“自限性”反應，每次僅沉積一個原子層，在復雜結構的側壁、底部和頂部實現(xiàn)均勻覆蓋，幾乎沒有空隙或不均勻性。適合于高深寬比的 3D 結構。

再說傳統(tǒng)刻蝕與ALE（原子層刻蝕）的效果對比，傳統(tǒng)刻蝕隨著深寬比的不斷提高，會出現(xiàn)側壁彎曲不陡直，甚至刻不下去的情況。但是ALE在極高深寬比中仍可實現(xiàn)均勻刻蝕，避免底部或側壁過刻。

Tom組建了免費的半導體行業(yè)技術交流群，適合工藝，設備，廠務，投資，采購的朋友，群內會將各類半導體行業(yè)信息匯總，利于大家學習，強烈建議加Tom微信，Tom統(tǒng)一拉進群。