高帶寬

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  • 美光HBM明年目標:倍增!
    隨著美國存儲半導(dǎo)體公司美光成功開發(fā)出第5代高帶寬存儲器“HBM3E 12層”產(chǎn)品,存儲器企業(yè)之間的領(lǐng)導(dǎo)地位之爭預(yù)計將變得更加激烈。
    美光HBM明年目標:倍增!
  • 明明設(shè)計的是高帶寬,差點給我加工成開路?
    作為我們高速先生的主業(yè)就是SI,其實一直以來我們都很關(guān)心設(shè)計和加工出來的差異,尤其對于高速信號來說,高速先生只有在加工誤差比較小的情況下,才能去很好的完成一些仿真和測試的擬合。剛好高速先生正在研究一些適合112G的超高寬帶傳輸?shù)脑O(shè)計,PCB設(shè)計完加工回來后,高速先生立馬投入到了緊張的測試中,結(jié)果就有了本文開頭那一幕的感慨。。。
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    2024/05/21
  • 高帶寬內(nèi)存爭奪戰(zhàn)
    近日,SK海力士CEO宣布其2024年和2025年高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的產(chǎn)能均已售罄,并預(yù)測未來專用于人工智能的“超高速、高容量、低電力”存儲器需求將會激增。無獨有偶,美光科技也在第二財季財報中披露,該公司2024年的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄,2025年的絕大多數(shù)產(chǎn)能已經(jīng)分配完畢。
    高帶寬內(nèi)存爭奪戰(zhàn)
  • AI服務(wù)器中的高帶寬內(nèi)存(HBM)和DDR5芯片有什么區(qū)別
    高帶寬內(nèi)存(HBM):由JEDEC標準組織制定,專為高性能計算和圖形處理設(shè)計。主要特點是通過3D堆疊技術(shù)將多層DRAM芯片堆疊在一起,并使用硅通孔(TSV)進行垂直互聯(lián),以實現(xiàn)高帶寬和低功耗。

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