美光HBM明年目標：倍增！

隨著美國存儲半導體公司美光成功開發(fā)出第5代高帶寬存儲器“HBM3E 12層”產品，存儲器企業(yè)之間的領導地位之爭預計將變得更加激烈。

據業(yè)內人士9月14日消息，美光近日在其網站上宣布，正在開發(fā)36GB（千兆字節(jié)）HBM3E 12層產品，并正在向客戶供應樣品。

HBM 是一種通過垂直連接多個 DRAM 創(chuàng)新性地提高現有 DRAM 數據處理速度的產品，主要安裝在 AI 芯片中使用的圖形處理單元 (GPU) 中。最重要的是，由于HBM是一種高價值產品，其價格比普通DRAM高出4至5倍，存儲器公司之間爭奪市場的競爭正在加劇。

根據市場研究公司數據，去年的HBM市場份額為SK海力士53%、三星電子38%、美光9%。

美光科技的目標是明年獲得 20% 的 HBM 市場份額。

隨著美光也進軍HBM3E 12層市場，SK海力士、三星電子等內存企業(yè)的戰(zhàn)場將越來越激烈。

目前市場主流是HBM3和HBM3E 8層，但預計NVIDIA的后繼產品中將大量采用12層產品。

Trend Force預計，隨著H200的出貨，今年HBM3E的消費份額將增至60%以上，而NVIDIA未來推出的Blackwell Ultra將配備8個HBM3E 12層堆棧。

據此，預計明年HBM3E中12層產品的比例將達到40%，并可能進一步增加。

看來SK海力士不僅在HBM3E 8層產品上暫時占據上風，在12層產品上也暫時占據上風。

去年 3 月，SK 海力士成為第一家開始向 NVIDIA 供應 HBM3E 8 層的內存公司。

后續(xù)產品HBM3E 12層已完成主要客戶的樣品供貨，計劃本季度開始量產，第四季度向客戶供貨。

繼8層產品之后，三星電子也通過認證12層產品來加速量產。