半導體工藝

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  • 半導體二手設備的認知誤區(qū)
    這個話題其實一直想寫一寫，最近怠于動筆，今天得空兒碼幾行文字。 半導體二手設備其實是半導體領域一個非常獨特的存在，別的行業(yè)雖然也存在二手設備市場，但能夠撐起成熟制程設備半壁江山的，還真是比較少。雖然二手設備在半導體產業(yè)鏈環(huán)節(jié)中扮演了如此重要的角色，但普遍存在一些認知誤區(qū)，也導致很多人對這個行業(yè)有誤解。 正是因為有誤解，導致相關公司特別不愿意提自己是二手設備廠商， “二手” 倆字都羞于啟齒，反倒用一
    半導體二手設備的認知誤區(qū)
  • 什么是SPT技術，SPT技術位于工藝流程什么位置？
    在半導體工藝中，SPT 通常是指應力鄰近技術（Stress Proximity Technology）。它是一種通過在柵極周圍形成特定結構或沉積特定材料，將應力引入到半導體溝道中的工藝技術。具體介紹如下：
    什么是SPT技術，SPT技術位于工藝流程什么位置？
  • 在半導體SiGe工藝中，為什么需要分兩步生長？
    在半導體 SiGe 工藝中，分兩步生長低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求：晶格常數(shù)差異：Ge的晶格常數(shù)（5.66 ?）比Si（5.43 ?）大約4%，直接在 Si 襯底上生長高摻雜 Ge 層會因晶格失配產生高應力，導致位錯等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層，通過較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量（如從 Si 到 SiGe 的過渡），逐步釋放晶格應力，為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長基礎。
    在半導體SiGe工藝中，為什么需要分兩步生長？
  • 在半導體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
    在半導體制造工藝里，金屬層的電化學鍍（ECP）是構建芯片內部復雜電路互連的關鍵環(huán)節(jié)。而在 ECP 工藝完成后，一項不可或缺的后續(xù)操作便是洗邊。這一操作看似簡單，實則對芯片制造的整體質量、性能以及生產效率有著多方面的深刻影響。
    在半導體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
  • 如何看待中國的半導體工藝制程被卡在7nm，如何才能突破？
    突破7nm制程瓶頸，既需要短期內的技術攻堅，也需要長期的戰(zhàn)略布局。當前，中國的7nm制程技術尚未達到全球頂尖水平，尤其是在極紫外（EUV）光刻機等關鍵前道制造設備上，仍然依賴外部供應。要突破這一瓶頸，必須依賴自主研發(fā)和技術創(chuàng)新。
    如何看待中國的半導體工藝制程被卡在7nm，如何才能突破？
  • FD-SOI，半導體“特色”工藝之路能否走通？
    在進入28納米節(jié)點時，半導體邏輯制造工藝出現(xiàn)了分岔。一條路線走向了三維工藝，即大家所熟知的FinFET，代表廠商有臺積電、英特爾和中芯國際等晶圓制造廠商；另一條路線則還在堅持平面工藝，被稱為FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡硅型絕緣體上硅），代表廠商有意法半導體（STMicroelectronics）。三星電子與格羅方德（GlobalFoundries）則兩條腿走路，對FinFET與FD-SOI都有布局，但三星的先進邏輯制造工藝還是以FinFET為主。
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    2024/10/31
    FD-SOI，半導體“特色”工藝之路能否走通？
  • 為什么器件失效分析需要Nano-probe機臺？
    器件失效分析（Failure Analysis，F(xiàn)A）關系到集成電路的質量控制、產品可靠性以及產量優(yōu)化。在分析過程中，工程師必須準確定位失效源頭，分析失效機理并找到解決方法。其中，Nano-probe（納米探針）作為一項關鍵的微納級分析工具，廣泛應用于先進工藝制程中，如5nm、7nm、16nm等。
    為什么器件失效分析需要Nano-probe機臺？
  • 為什么器件失效分析需要AFM機臺？
    失效分析是確保集成電路和微電子器件可靠性、優(yōu)化制造工藝的重要環(huán)節(jié)。隨著技術的進步，特別是進入5nm、7nm等先進工藝節(jié)點后，器件失效模式變得更為復雜，要求我們使用各種高精度的分析工具進行失效定位和機理分析。原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope，簡稱AFM）就是其中一種重要的分析工具。
    為什么器件失效分析需要AFM機臺？
  • 東方晶源深耕電子束量測檢測核心技術 “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機”
    電子束量測檢測設備是芯片制造裝備中除光刻機之外技術難度最高的設備類別之一，深度參與光刻環(huán)節(jié)、對制程節(jié)點敏感并且對最終產線良率起到至關重要的作用。其最為核心的模塊為電子光學系統(tǒng)（Electron?Optical?System，簡稱EOS），決定設備的成像精度和質量， 進而決定設備的性能。 作為電子束量測檢測領域的先行者、領跑者，東方晶源始終堅持自主研發(fā)，不斷深化研發(fā)投入、加速技術創(chuàng)新步伐，致力于為客
    東方晶源深耕電子束量測檢測核心技術 “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機”
  • 碳化硅競爭升級，中國企業(yè)施壓國際大廠
    作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優(yōu)異的物理和化學特性，使得SiC器件能降低能耗20%以上，減少體積和重量30%~50%，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC器件可廣泛應用于電動汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、通信雷達和航空航天等領域。
    碳化硅競爭升級，中國企業(yè)施壓國際大廠

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