功率器件

• 2025年1-2月電氣化供應(yīng)商裝機(jī)量排行榜：動(dòng)力電池TOP10格局保持穩(wěn)定，集中度超93%

  2 月，全球新能源汽車市場(chǎng)延續(xù)了高速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，動(dòng)力電池作為核心零部件的需求持續(xù)攀升。在這一背景下，動(dòng)力電池供應(yīng)鏈的競(jìng)爭(zhēng)格局進(jìn)一步凸顯 “頭部份額高度集中” 的特征，寧德時(shí)代與弗迪電池憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)和規(guī)模效應(yīng)穩(wěn)居榜首，兩者合計(jì)占據(jù)近 70% 的市場(chǎng)份額。與此同時(shí)，電池 PACK、BMS、驅(qū)動(dòng)電機(jī)等細(xì)分領(lǐng)域也呈現(xiàn)出頭部企業(yè)主導(dǎo)、車企加速自研的趨勢(shì)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)擴(kuò)張中迎來(lái)新的變革。

  蓋世汽車

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  04/14 12:20

  動(dòng)力電池 功率器件

  
• 是德科技推出用于快速開關(guān)功率器件測(cè)試的隔離探測(cè)技術(shù)

  是德科技（NYSE: KEYS ）開發(fā)了一種光隔離差分探頭系列，專門用于提高寬禁帶 GaN 和 SiC 半導(dǎo)體等快速開關(guān)器件的效率和性能測(cè)試。 是德科技光隔離探頭，共模抑制能力比標(biāo)準(zhǔn)差分探頭高 100 dB 用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器的浮動(dòng)半橋和全橋架構(gòu)驗(yàn)證需要測(cè)量高共模電壓上的小差分信號(hào)，由于相對(duì)于地的電壓源波動(dòng)、噪聲干擾和安全問(wèn)題，這種測(cè)量具有一定的挑戰(zhàn)性。隔離差分探頭是電氣隔離的，能夠抑

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  03/26 08:23

  是德科技 逆變器

  
• CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù)，推動(dòng)氮化鎵（GaN）進(jìn)軍超100億美元電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)

  無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發(fā)高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡(jiǎn)化綠色電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和實(shí)施。近日，CGD進(jìn)一步公佈了關(guān)於ICeGaN? GaN 技術(shù)解決方案的詳情，該方案將助力公司進(jìn)軍功率超過(guò)100kW的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成應(yīng)用市場(chǎng)，這一市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?通過(guò)將智慧ICeGaN HEMT IC與IG

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  03/12 08:17

  SiC GaN

  
• 《元器件交易動(dòng)態(tài)周報(bào)》-功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)增長(zhǎng)而提升

  核心觀點(diǎn)： 功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)增長(zhǎng)而提升。 二極管四方維商品動(dòng)態(tài)商情交貨周期指數(shù)維持在自2024年初以來(lái)的上升趨勢(shì)中；而晶體管交貨周期指數(shù)處于低位徘徊。 2025年1月，功率器件價(jià)格整體保持穩(wěn)定。 三大維度解讀功率器件最新供需動(dòng)態(tài) 市場(chǎng)需求分析 圖 | 二極管四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)情況，來(lái)源：Supplyframe四方維 圖 | 晶體管四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)情況，

  史德志

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  02/24 11:35

  碳化硅 MOSFET

  
• 升級(jí)電源和機(jī)架架構(gòu)，滿足AI服務(wù)器的需求

  英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產(chǎn)品非常適用于應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心機(jī)架和電源供應(yīng)單元（PSU）電力需求增長(zhǎng)所需的新架構(gòu)和AC-DC配電配置。 前言 人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長(zhǎng)。如圖1所示，英飛凌預(yù)測(cè)單臺(tái)GPU的功耗將呈指數(shù)級(jí)上升，預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到約2000 W [1]，而AI服務(wù)器機(jī)架的峰值功耗將突破驚人的300 kW。這一趨勢(shì)促使數(shù)據(jù)中心機(jī)架的AC和D

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  02/24 08:11

  英飛凌 功率器件
• Aigtek高壓功率放大器在鐵路鐵軌檢測(cè)中有哪些應(yīng)用

  高壓功率放大器在鐵路鐵軌檢測(cè)中有多種重要應(yīng)用，它們?cè)诖_保鐵路安全和維護(hù)鐵路設(shè)施中起著關(guān)鍵作用。下面西安安泰將詳細(xì)介紹高壓功率放大器在鐵路鐵軌檢測(cè)中的幾個(gè)主要應(yīng)用。 高壓功率放大器用于鐵路鐵軌的振動(dòng)檢測(cè)。振動(dòng)檢測(cè)是一種常見的方法，用于監(jiān)測(cè)鐵軌的健康狀態(tài)以及潛在的結(jié)構(gòu)問(wèn)題。通過(guò)在鐵軌上安裝傳感器，并使用高壓功率放大器放大傳感器捕捉到的微弱信號(hào)，可以實(shí)時(shí)檢測(cè)鐵軌的振動(dòng)情況。這種檢測(cè)可以幫助確定是否存在異

  Aigtek安泰電子

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  02/24 08:00

  功率放大器 功率器件
• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

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  01/21 11:05

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作再結(jié)碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度

  近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作迎來(lái)又一重要里程碑，雙方攜手對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN器件進(jìn)行了深入測(cè)試與評(píng)估，成果斐然，為該器件在高端應(yīng)用市場(chǎng)的拓展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。 此前，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體憑借其在高壓GaN器件領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，已成功推出多款產(chǎn)品，并逐步將額定電壓提升至1700V，這一電壓等級(jí)的突破，相較于1200V器件實(shí)現(xiàn)了顯著性能飛躍。為攻克GaN器件常見的電流崩塌難題，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體采用了

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  01/15 08:17

  GaN 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

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  01/07 11:05

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

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  2024/12/24

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

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  2024/12/17

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• PCB過(guò)孔的開窗，蓋油，塞油到底是什么意思？廠家EQ該怎么回復(fù)？

  關(guān)注微信公眾號(hào)：硬件那點(diǎn)事兒

  硬件那點(diǎn)事兒

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  2024/12/13

  pcb 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

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  2024/12/11

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度

  功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實(shí)現(xiàn)方法是：

  英飛凌

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  2024/12/07

  功率半導(dǎo)體 功率器件
• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（七）——熱等效模型

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

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  2024/12/03

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測(cè)量

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

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  2024/11/26

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

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  2024/11/19

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 【“源”察秋毫系列】 多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試應(yīng)用助力功率器件研究及性能評(píng)估

  隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對(duì)器件的耐久性和可靠性是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。同時(shí)，隨著SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時(shí)也帶來(lái)了新的測(cè)試需求。如何在保證測(cè)試效率的同時(shí)，準(zhǔn)確評(píng)估這些先進(jìn)功率

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  2024/11/15

  示波器 功率器件

  
• 聚焦能源和半導(dǎo)體，東芝將加大在華投入

  東芝集團(tuán)去年宣布私有化，業(yè)界對(duì)這種變化的聲音較多。 對(duì)此，仲秋表示：“退市后使得我們更容易專注于面向未來(lái)的改革，解決東芝的結(jié)構(gòu)性課題，回歸到“東芝本來(lái)應(yīng)有的樣子”，東芝長(zhǎng)期看好中國(guó)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展前景。我們希望繼續(xù)深化與本地合作伙伴的關(guān)系，推動(dòng)創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步”。

  夏珍

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  2024/11/14

  與非觀察 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

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  2024/11/12

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  

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