光刻技術

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發(fā)展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學技術發(fā)展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。

集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發(fā)展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學技術發(fā)展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。收起

查看更多
  • 光刻技術，走下 “神壇”
    “光刻將不再那么重要。”這句話一出便在業(yè)界引起巨大爭議，這句話來源于英特爾的一位高管。光刻機，向來被視為半導體制造的命脈。但近期多家芯片巨頭釋放的信息顯示，未來光刻技術可能不再是唯一選擇，即便是很難搶到的High-NA EUV，也多處于“閑置”狀態(tài)。
    光刻技術，走下 “神壇”
  • ASML杯光刻「芯 」勢力知識挑戰(zhàn)賽正式啟動
    這是一場追光人的技術狂歡 也是一次深入納米芯球的探索之旅 我們發(fā)出光刻英雄帖，集結菁英光刻「芯」勢力 與ASML共尋技術之美 【賽事介紹】 ASML光刻「芯」勢力知識挑戰(zhàn)賽由全球半導體行業(yè)領先供應商ASML發(fā)起，是一項面向中國半導體人才與科技愛好者的科普賽事。依托ASML在光刻領域的技術積累與行業(yè)洞察，賽事致力于為參賽者打造一個深度探索光刻技術的知識競技窗口，同時培養(yǎng)優(yōu)秀科技「芯」勢力，共同推動摩
    256
    06/23 07:14
    ASML杯光刻「芯 」勢力知識挑戰(zhàn)賽正式啟動
  • 在光刻工藝中，什么是 Leveling ？
    在半導體光刻工藝里，諸多環(huán)節(jié)都對芯片制造的精度與質量有著舉足輕重的影響，其中 Leveling（找平）這一關鍵步驟在確保晶圓表面平整度方面扮演著不可或缺的角色。
    1718
    06/04 14:32
    在光刻工藝中，什么是 Leveling ？
  • 電子束光刻機將用于芯片量產？
    近日，一些媒體報道了英國部署電子束光刻機相關的新聞，并號稱打破ASML的EUV技術壟斷。部分報道甚至號稱這是全球第二臺電子束光刻機，能繞過ASML。實際上當前沒有任何信息表面該電子束曝光機可以用于5nm制程的芯片量產的光刻環(huán)節(jié)。在這些媒體的報道中，英國似乎已經拳打ASML，腳踢EUV了。那事實真的如此嗎？實際情況到底如何呢？
    電子束光刻機將用于芯片量產？
  • 為什么Backside clean(晶背清洗)在光刻工藝中那么重要？
    隨著半導體技術節(jié)點向先進制程持續(xù)推進，芯片最小特征尺寸不斷微縮，器件集成度呈指數級增長，曝光設備的焦深已成為制約工藝發(fā)展的關鍵瓶頸。在此技術背景下，有效管控晶圓背面缺陷引發(fā)的光刻熱點問題，成為保障芯片制造良率的核心技術挑戰(zhàn)。
    1878
    05/26 12:15
    為什么Backside clean(晶背清洗)在光刻工藝中那么重要？
  • 半導體微縮化的技術突圍與光刻革命
    隨著半導體的發(fā)展，我們的生活在過去幾十年中發(fā)生了巨大變化。50年前，研究人員家中的電器只有收音機和電視機，通信設備也只有電話。即使在辦公室，打字機和計算機也并不普遍，只有一些大型企業(yè)能夠使用大型計算機。而如今，個人計算機幾乎已經成為普通家庭的必備之物，性能遠超當年的大型計算機，不僅具備計算能力，還能進行通信，另外，只有手掌大小的智能手機也早已在社會生活中普及開來。這一切背后的支撐技術之一就是半導體。
    半導體微縮化的技術突圍與光刻革命
  • 軟烘，PEB，后烘在光刻工序中的作用？
    學員問：光刻工序中的烘烤有幾次？各有什么作用？光刻工序中的烘烤有幾次？根據用途不一樣，烘烤的次數也不一樣。一般為兩到三次。
  • 光刻工藝中，什么是Binary mask和Phase Shift Mask？一次講明白！
    在半導體光刻技術中，光掩模（Photo mask）是芯片制造的核心工具之一，其作用類似于傳統(tǒng)照相的底片，通過控制光線透射或阻擋，將電路圖案轉移到硅片上。隨著芯片制程不斷微縮至納米級，掩模技術也在持續(xù)演進。其中，
    光刻工藝中，什么是Binary mask和Phase Shift Mask？一次講明白！
  • 光刻工藝：光刻膠、曝光方式、光刻主要步驟
    光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復轉印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導體制造工藝演進，對光刻分辨率、套準精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術也將不斷演化，支持更為先進的制程與更復雜的器件設計。
    光刻工藝：光刻膠、曝光方式、光刻主要步驟
  • g線與i線光刻工藝的技術節(jié)點、工藝特點以及典型應用
    在半導體產業(yè)整體邁向深亞微米甚至納米制程的今天，g線（436 nm）與i線（365 nm）光刻工藝相較于后續(xù)的 KrF（248 nm）、ArF（193 nm）或 EUV（13.5 nm）而言，已經相對成熟和“傳統(tǒng)”。然而，g/i線工藝仍然在某些特定領域和應用場景中發(fā)揮著重要作用。
    2455
    03/21 10:55
    g線與i線光刻工藝的技術節(jié)點、工藝特點以及典型應用
  • 光刻工藝中g線、i線、DUV、EUV是什么意思？
    不同波長的光源各自對應不同的技術節(jié)點和制造需求。從早期的 g線、i線到目前主流的 KrF、ArF 再到最尖端的 EUV，每一次升級都展現了更高分辨率和更先進的工藝水平。隨著對器件尺寸不斷逼近物理極限，EUV及其后續(xù)升級版本將持續(xù)發(fā)展。
    光刻工藝中g線、i線、DUV、EUV是什么意思？
  • ASML收購Mapper的背后故事：中美俄荷四方暗斗
    近日，一名具有俄羅斯背景的ASML前員工因涉嫌竊取ASML和Mapper Lithography 的微芯片手冊等文件而被荷蘭政府拘留，引發(fā)各方關注。
    1945
    2024/12/15
    ASML收購Mapper的背后故事：中美俄荷四方暗斗
  • 納米壓印取代光刻，我國半導體制造不用再被卡脖子？
    第十四屆中國國際納米技術產業(yè)博覽會（簡稱“納博會”）在萬眾矚目中圓滿落下了帷幕。這場全球納米科技領域盛會，以1場主報告、13場分論壇、1場創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽，1場新產品發(fā)布會為主，匯聚了全球納米科技領域的18位院士，450多位高校研究院所、上市公司、知名企業(yè)機構的頂級專家代表出席，分享專業(yè)報告476場，較往屆增加132場，同比增長約33%，吸引9663位嘉賓參會聽會。
    納米壓印取代光刻，我國半導體制造不用再被卡脖子？
  • 計算光刻進入3.0時代，東方晶源ILT引領技術變革
    在半導體制造領域，計算光刻技術是推動芯片制程不斷突破的關鍵因素之一。隨著集成電路的尺寸不斷縮小，計算光刻技術應運而生，成為提升光刻精度和芯片性能的重要手段。在國內尖端光刻設備受限的背景下，其重要性更是不言而喻。 在這一技術革新的浪潮中，東方晶源以其前瞻性的布局和強大的研發(fā)能力，成為推動計算光刻技術發(fā)展的先鋒，以及國內半導體制造行業(yè)實現技術飛躍的關鍵力量。 從基于規(guī)則、模型到基于ILT，計算光刻進入
    計算光刻進入3.0時代，東方晶源ILT引領技術變革
  • 在嘉興，600多位專家談光刻未來
    光刻技術是半導體制造的核心工藝，它決定了芯片的集成度和性能。在芯片制造業(yè)的浩瀚宇宙中，光刻技術無疑是最為璀璨的星辰之一，引領著整個行業(yè)的創(chuàng)新與前沿發(fā)展。
    在嘉興，600多位專家談光刻未來
  • 聊聊光刻工序常見術語（2）
    上次，我們總結了光刻工序部分的術語，見文章：《光刻工序常見術語中英文對照（1）》這次，我們把剩下的又總結了一些，供大家參閱。1，Developer Mist：顯影液回濺產生的水霧，是顯影過程引入的一種缺陷。2，Bubble：氣泡，比如光刻膠中含有氣泡。
    聊聊光刻工序常見術語（2）
  • 光刻工序常見術語中英文對照（1）
    在半導體制造中會使用很多英文詞匯，而英文詞匯在翻譯為漢語的過程中，意思往往會出現偏差，后面的幾期，Tom會針對幾大工序中常見的半導體術語做一個歸納總結，有些術語會做必要的解釋。
    光刻工序常見術語中英文對照（1）
  • 面試 | 光刻工藝,晶圓制造,CMP,PIE工程師面試問題合集
    本篇匯集了關于光刻工藝、晶圓制造相關崗位，以及FPGA工程師面試時的常見問題。且在持續(xù)更新中……? 切記收藏哦！
    3954
    2024/08/13
    面試 | 光刻工藝,晶圓制造,CMP,PIE工程師面試問題合集
  • 負膠的Undercut在lift-off工藝中的應用
    ?光刻工藝中負膠因為粘度偏大，和正膠相反的曝光模式，被廣泛應用，但是負膠精度沒有正膠好，容易顯影變形，價格也普遍相對較貴。
  • 光刻技術，有了新選擇
    光刻工藝是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。
    光刻技術，有了新選擇

正在努力加載...