負膠的Undercut在lift-off工藝中的應用

光刻工藝中負膠因為粘度偏大，和正膠相反的曝光模式，被廣泛應用，但是負膠精度沒有正膠好，容易顯影變形，價格也普遍相對較貴。

負膠：聚合物的短鏈分子因光照而交聯(lián)成為長鏈分子的為負膠（cross linking）?；蛘哒f，光刻過程中被的光照的區(qū)域在顯影過程中留下來，未被光照區(qū)域的光刻膠被顯影液腐蝕的光刻膠稱之為負膠（negative photoresist），

在lift-off工藝中，負膠（negative resist）通常被推薦用于形成undercut結構。這種結構有助于在后續(xù)的剝離過程中實現(xiàn)更清晰和精確的圖案化。以下是詳細的解釋：

負膠相比于正膠，在接觸式紫外光刻中更容易獲得undercut結構，因此常用于lift-off工藝。負膠設計用于lift-off時，可以達到可重復的底切效果，防止光刻膠側壁被涂覆，使后續(xù)的lift-off過程更加容易。

在lift-off工藝中，通過優(yōu)化工藝參數(shù)，如曝光劑量和顯影時間，可以獲得明顯的底切形態(tài)，從而消除毛刺。例如，適當過曝點有利于獲得undercut結構。此外，使用圖形反轉或負膠的情況下，通過這些參數(shù)的調整可以顯著改善undercut的效果。

在某些研究中，雙層膠（如LOR光刻膠和AZ6130或S1813）被用來構建undercut結構。首先涂覆第一層光刻膠，在一定溫度下烘烤、冷卻后，再旋涂第二層光刻膠，并經過曝光、顯影、定影后形成undercut結構。這種雙層膠系統(tǒng)能夠有效地控制undercut的長度和深度，提供可靠的工藝。

如下圖，如果沒有Undercut的話，且沒有倒梯形結構，很容易形成金屬毛刺，反映到晶圓表面就是線條有“黑線”殘留。

最簡單的是通過曝光時間可以控制倒梯形角度，曝光劑量越大角度越大越接近90°。

下面是曝光4.5s和曝光5.5秒的Undercut的區(qū)別，明顯5.5s的更小一些。

另外負膠的角度受前烘溫度的影響較大，前烘越高，角度越小。

而如何使角度變大（減小亮邊）：

1、降低前烘溫度，也就是曝光前的烤膠

2、提高曝光能量，延長顯影

3、提高后烘溫度和時間

4、減少曝光間距

單層膠的倒梯形有時很難滿足厚膜的需求，就需要做雙層光刻膠結構。如下圖。

雙層就比較麻煩一些。