芯耀
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因應日趨嚴苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭配精簡的電路再使用DC電壓來對EVB上之pin腳供電即可實現(xiàn)此一高效率之測試結果。為提高系統(tǒng)的功率密度與自動化生產流程，S7系列MOSFET也推出各式封裝，特別是SMD封裝，在減少體積上有很顯著的幫助，尤其是且有top side散熱的技術，對于降低MOSFET本身溫度與提高系統(tǒng)穩(wěn)定度有很好的改善。因此可輕易符合美國能源效率法規(guī)DOE與歐盟CoC能源協(xié)議規(guī)范，來達到降低成本、體積縮小、符合新一代環(huán)保節(jié)能與高效率之產品設計。
核心技術優(yōu)勢
1. 電路精簡只需要4顆MOSFET與OP比較器即可完成active bridge電路
? NJ393C為高集程度OP比較器，具有下列特點
? 提供寬范圍的電源供應與雙電源供應：+2V~36V或+/-1V~+/-18V
? 低操作電流：0.45mA at Vcc=5V
? 低偏壓電流：20nA
? 輸入共模電壓范圍
? 低輸出飽和電壓：80mV,typ
? 相等供應電源之差動輸入電壓范圍：+/-36V
? TTL、DTL、ECL、MOS與CMOS相容輸出
? 內部ESD防護：HBM>+/-2KV
2. 與傳統(tǒng)bridge diode相比在低電壓輸入時約可提升1%效率，在高電壓輸入時約可提升0.5%效率
3. 在系統(tǒng)平均效率上可滿足鈦金效率之能源需求
4. 可依據(jù)價格與效率需求來選擇適合MOSFET Rds-on等級產品
5. 可依據(jù)系統(tǒng)空間與功率密度來選擇適合MOSFET封裝產品
方案來源于大大通
