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• 芯片間互聯(lián)協(xié)議 -- CCIX協(xié)議介紹

  CCIX（Cache Coherent Interconnect for Accelerators）是一種高性能的芯片間互聯(lián)協(xié)議，用于連接CPU芯片和CPU芯片、加速器設(shè)備和CPU芯片等。它的主要目標(biāo)是提供高帶寬、低延遲、緩存一致性以及適應(yīng)各種加速器的連接標(biāo)準(zhǔn)，以便更好地支持異構(gòu)計(jì)算。AMD、ARM、Mellanox、華為、高通等多家公司聯(lián)合成立了CCIX聯(lián)盟，以推動(dòng)CCIX技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。 C

  芯片架構(gòu)筆記

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  06/26 16:48

  CPU芯片
• 內(nèi)置增益設(shè)置電阻的放大器和分立差動(dòng)放大器的區(qū)別

  經(jīng)典的分立差動(dòng)放大器設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單，一個(gè)運(yùn)算放大器和四電阻網(wǎng)絡(luò)有何復(fù)雜之處？

  亞德諾半導(dǎo)體

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  06/26 11:25

  差動(dòng)放大器
• 一文了解芯片化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)

  化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing,?簡(jiǎn)稱?CMP）技術(shù)是一種依靠化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)工件表面材料去除的超精密加工技術(shù)。下圖是一個(gè)典型的?CMP?系統(tǒng)示意圖：

  半導(dǎo)體全解

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  06/25 09:11

  CMP

  
• 一款高壓LED芯片的設(shè)計(jì)和制造工藝

  ?高壓LED芯片（HV LED）是一種通過微晶粒串聯(lián)集成技術(shù)，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)高電壓、低電流驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件。其核心在于將多個(gè)微小LED單元（Cell）串聯(lián)集成，形成高壓驅(qū)動(dòng)特性（通常工作電壓20–100V），相比傳統(tǒng)低壓LED（3–4V），具有顯著的能效和系統(tǒng)優(yōu)化優(yōu)勢(shì)。

  芯片工藝技術(shù)

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  06/24 12:17

  LED芯片

  
• 高端ESC(靜電卡盤)有哪些涂層？

  在半導(dǎo)體制造設(shè)備中，靜電卡盤（

  TOM聊芯片智造

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  06/23 19:16

  半導(dǎo)體制造

  
• 一文了解薄膜制備基礎(chǔ)知識(shí)

  這是一篇短文，在文章的后半部分有一個(gè)贈(zèng)書活動(dòng)，留言的同學(xué)有機(jī)會(huì)獲得半導(dǎo)體書籍一本，書籍名稱和獲得方法見后文。

  半導(dǎo)體全解

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  06/23 16:47

  光學(xué)薄膜

  
• 云原生監(jiān)控告警新選擇：夜鶯（Nightingale）在K8S集群部署與私有鏡像構(gòu)建指南

  本章，作者以自身企業(yè)需求為突破點(diǎn)，實(shí)踐了自定義構(gòu)建私有鏡像，并通過容器的方式部署運(yùn)行在企業(yè)內(nèi)部 Kubernetes 高可用集群中，使得當(dāng)夜鶯監(jiān)控系統(tǒng)容器發(fā)生故障時(shí)可以及時(shí)恢復(fù)，從而不影響其它核心業(yè)務(wù)的監(jiān)控

  全棧工程師修煉指南

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  06/23 15:57

  云原生 智能運(yùn)維
• 慎用UVM中的uvm_report_enabled()函數(shù)

  在隨機(jī)驗(yàn)證環(huán)境中，如果出現(xiàn)回歸錯(cuò)誤，那么這個(gè)錯(cuò)誤是否可以復(fù)現(xiàn)是非常關(guān)鍵的。在回歸時(shí)，我們通常利用UVM的+UVM_VERBOSITY參數(shù)來設(shè)置驗(yàn)證環(huán)境的全局打印等級(jí)為UVM_NONE，這樣減少打印log，進(jìn)而加快仿真速度。另一方面，回歸通常也默認(rèn)不dump波形，減少內(nèi)存占用和加快仿真速度。但是如果出現(xiàn)驗(yàn)證用例掛掉了，我們通常需要借助于仿真log和波形來定位問題，因此+UVM_VERBOSITY參數(shù)會(huì)設(shè)置更高打印等級(jí)，來打印更多的信息。

  專芯致志er

  185

  06/23 10:46

  UVM

  
• 晶圓電鍍的電流效率怎樣計(jì)算？

  什么是電流效率？

  TOM聊芯片智造

  573

  06/21 10:53

  晶圓
• CPU訪存單元 -- LSU模塊介紹

  LSU（Load Store Unit）是一個(gè)專門的執(zhí)行單元，負(fù)責(zé)執(zhí)行所有的加載（load）和存儲(chǔ)（store）指令等，生成load和store操作的虛擬地址，并從內(nèi)存中加載數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)從寄存器中存儲(chǔ)回內(nèi)存。LSU里一般包括L1 D-cache、D-TLB、AGU、load queue、store queue等模塊。

  芯片架構(gòu)筆記

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  06/21 08:56

  CPU

  
• Office Word MCP Server

  Office-Word-MCP-Server 旨在為 AI 助手提供標(biāo)準(zhǔn)化的 Microsoft Word 文檔創(chuàng)建、編輯、格式化和分析能力。

  二師兄說AI

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  06/20 13:41

  MCP
• 什么是晶圓電鍍的濃差極化？

  以電鍍銅為例，鍍液中金屬離子被還原沉積在陰極（晶圓）上，化學(xué)方程式為：

  TOM聊芯片智造

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  06/19 08:26

  晶圓 電鍍
• 什么是晶圓電鍍的電化學(xué)極化？

  在金屬電沉積過程中中，如果因?yàn)槲镔|(zhì)遷移緩慢而造成的陰極極化，即為上期所講的濃差極化;如果是因?yàn)槿珜匐x子在電極表面放電遲緩而產(chǎn)生的陰極極化，則為陰極電化學(xué)極化。

  TOM聊芯片智造

  381

  06/18 17:16

  極化
• 在MOSFET中，什么是CGD電容？與哪些工藝相關(guān)？

  什么是Cgd電容？想象一下MOSFET就像一個(gè)水龍頭，柵極(G)是開關(guān)把手，漏極(D)是出水口，源極(S)是進(jìn)水口。Cgd就是把手和出水口之間"看不見的電線"（電容），它會(huì)讓開關(guān)動(dòng)作變得不那么干脆。

  國(guó)芯制造

  2327

  06/18 12:44

  電容 MOSFET

  
• 什么是SPT技術(shù)，SPT技術(shù)位于工藝流程什么位置？

  在半導(dǎo)體工藝中，SPT 通常是指應(yīng)力鄰近技術(shù)（Stress Proximity Technology）。它是一種通過在柵極周圍形成特定結(jié)構(gòu)或沉積特定材料，將應(yīng)力引入到半導(dǎo)體溝道中的工藝技術(shù)。具體介紹如下：

  國(guó)芯制造

  435

  06/17 15:15

  半導(dǎo)體工藝 SPT技術(shù)

  
• 提高晶圓電鍍速率時(shí)會(huì)遇到哪些困難？

  學(xué)員問：晶圓電鍍的速率不能無限制地提高，為什么？半導(dǎo)體工藝普遍遵循“欲速則不達(dá)”的原則，要想做的好，需要慢下來。

  TOM聊芯片智造

  308

  06/17 09:05

  晶圓 電鍍

  
• 在半導(dǎo)體SiGe工藝中，為什么需要分兩步生長(zhǎng)？

  在半導(dǎo)體 SiGe 工藝中，分兩步生長(zhǎng)低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求：晶格常數(shù)差異：Ge的晶格常數(shù)（5.66 ?）比Si（5.43 ?）大約4%，直接在 Si 襯底上生長(zhǎng)高摻雜 Ge 層會(huì)因晶格失配產(chǎn)生高應(yīng)力，導(dǎo)致位錯(cuò)等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層，通過較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量（如從 Si 到 SiGe 的過渡），逐步釋放晶格應(yīng)力，為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長(zhǎng)基礎(chǔ)。

  國(guó)芯制造

  690

  06/17 08:50

  半導(dǎo)體工藝 SiGe

  
• 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲是如何做到自恢復(fù)的？

  今天這篇文章想分享關(guān)于保險(xiǎn)絲的內(nèi)容，原因是前段時(shí)間在做2KV共模浪涌時(shí)，板子上的保險(xiǎn)絲出現(xiàn)了斷開，然后恢復(fù)的過程。于是，對(duì)保險(xiǎn)絲內(nèi)部的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了好奇，遂整理了一下關(guān)于保險(xiǎn)絲的知識(shí)點(diǎn)。

  大話硬件

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  06/16 11:20

  保險(xiǎn)絲

  
• 芯片制造為什么需要StartOxide？

  在芯片制造過程中，“Start Oxide”（通常稱為初始氧化層或起始氧化層）是一道基礎(chǔ)且關(guān)鍵的工藝步驟，其核心作用是為后續(xù)制造流程提供物理保護(hù)、絕緣隔離和工藝支撐。以下從技術(shù)原理和實(shí)際應(yīng)用角度詳細(xì)解析其必要性：

  國(guó)芯制造

  675

  06/16 09:26

  芯片制造

  
• 為什么晶圓電鍍完鎳后要鍍一層金？

  學(xué)員問：為什么在電鍍完銅后，要在銅上鍍鎳，之后在鎳上鍍金？一般的電鍍順序？電鍍銅--》電鍍鎳--》電鍍金--》電鍍錫球四層金屬結(jié)構(gòu)的功能分工？

  TOM聊芯片智造

  1010

  06/14 08:25

  晶圓 電鍍

  

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