RF功率市場擺脫低潮，GaN技術接班LDMOS

如今，電子業(yè)正邁向 4G 的終點、5G 的起點。 后者發(fā)展上仍有不少進步空間，但可以確定，新一代無線電網(wǎng)絡勢必需要更多組件、更高頻率做支撐，可望為芯片商帶龐大商機 -- 特別是對 RF 功率半導體供貨商而言。 對此，市研機構 Yole 于 7 月發(fā)布「2017 年 RF 功率市場與科技報告」指出，RF 功率市場近期可望由衰轉盛，并以將近二位數(shù)的年復合成長率（GAGR）迅速成長；同時，氮化鎵（GaN）將逐漸取代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS），成為市場主流技術。

拜電信基站升級、小型基地臺逐漸普及所賜，RF 功率市場可望脫離 2015 年以來的低潮，開始蓬勃發(fā)展 -- 報告指出，整體市場營收到 2022 年底則有望暴增 75%之多，2016~2022 年間 CAGR 將達 9.8%；其中，占電信基礎設施近一半比重的基站、無線回程網(wǎng)絡等相關組件，同一時段 CAGR 各為 12.5%、5.3%。 再者，鑒于效能較高、體積較小且穩(wěn)定性較佳，砷化鎵（GaAs）、GaN 等固態(tài)技術將在國防應用上逐漸取代真空管，提供 RF 功率組件更多發(fā)展機會。 Yole 預期，此部分營收至 2022 年將成長 20%，2016~2022 年間 CAGR 達 4.3%。

技術方面，受與日俱增的信息流量、更高操作頻率與帶寬等需求驅使，GaN 組件使用越來越普遍，正于電信大型基站、雷達 / 航空用真空管與其它寬帶應用上取代 LDMOS 組件，現(xiàn)已占據(jù)整體 20%營收以上。 針對未來網(wǎng)絡設計，Yole 表示，GaN 之于載波聚合（CA）、多輸入多輸出（MIMO）等新科技，效能與帶寬上雙雙較 LDMOS 具優(yōu)勢。 此外，得力于在行動網(wǎng)絡產(chǎn)業(yè)發(fā)展得當，GaAs 技術已成熟到能進入市場，可望在國防、有線電視等應用上穩(wěn)占一席之地。

此報告估計，GaN 將于未來 5~10 年成為 3W 以上 RF 功率應用的主流技術，GaAs 基于其穩(wěn)定性與不錯的性價比，也得以維持一定比重；至于 LDMOS 部分則將繼續(xù)衰退，市場規(guī)模跌至整體 15%，然考慮到其高成熟性與低成本等，短期內在 RF 功率市場仍不至面臨淘汰。

伴隨 RF 功率組件發(fā)展趨勢日漸明朗，各家大廠開始有所動作、搶爭新世代科技的主導權：主流 LDMOS 供貨商包括恩智浦（NXP）、安譜?。ˋmpleon）、英飛凌（Infineon）等，正嘗試透過外部代工獲取 GaN 技術；傳統(tǒng) GaAs 廠商亦紛紛開始著重投資在此，少部分已成功將產(chǎn)能轉進 GaN、在市場拔得頭籌；至于純 GaN 供貨商如科銳（Cree ）旗下之 Wolfspeed，一方面為 LDMOS 大廠供應相關組件、壯大市場，一方面則努力確保自身在 GaN 技術發(fā)展的領先地位。

據(jù) Yole 指出，待 GaN 組件成為主流，掌握 GaN 市場的廠商將取代 LDMOS 主力廠商，成為 RF 功率市場領導者 -- 現(xiàn)階段除 Wolfspeed，該領域領導廠商幾乎都是由 GaAs 廠商轉進。 就近期包括 Infineon 收購 Wolfspeed 受阻于美國政府、和康電訊（M/A-COM）與 Infineon 間的訴訟等相關事件來看，該領域的競爭似乎也日趨白熱化。

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