芯耀
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在碳化硅領(lǐng)域，大尺寸晶圓的研發(fā)與應(yīng)用始終是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近日，國(guó)內(nèi)又有兩個(gè)8英寸項(xiàng)目迎來(lái)突破，有望為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力：
士蘭微：8吋項(xiàng)目首臺(tái)設(shè)備提前搬入
6月23日，據(jù)中建三局一公司官微透露，由他們承建的廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（一期），已提前搬入首臺(tái)設(shè)備。
文章進(jìn)一步透露，該項(xiàng)目位于福建省廈門市，總建筑面積 23.45萬(wàn)平方米，歷時(shí)110天順利實(shí)現(xiàn)階段性目標(biāo)，建成后將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力。
據(jù)“行家說(shuō)三代半”此前報(bào)道，今年3月，士蘭微在官微宣布廈門士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（一期）順利封頂。
士蘭微電子董事會(huì)秘書、副總裁陳越表示，他們總投資70億元的一期項(xiàng)目，將盡最大努力爭(zhēng)取在今年年底實(shí)現(xiàn)初步通線，明年一季度投產(chǎn)，到2028年底最終形成，年產(chǎn)42萬(wàn)片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。
平湖實(shí)驗(yàn)室：8吋SiC平臺(tái)流片成功
6月27日，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在官微透露，他們聯(lián)合深圳市鵬進(jìn)高科技有限公司，成功攻克1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片的核心技術(shù)難題，構(gòu)建了8英寸工藝平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能1200V溝槽柵SiC?MOSFET芯片流片成功。
據(jù)了解，此次核心發(fā)明專利（專利公開號(hào)：CN118610269A）已經(jīng)獲得授權(quán)，其突破性成果具有諸多亮點(diǎn)：
靜態(tài)性能指標(biāo)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低比導(dǎo)通電阻（<2.1mΩ·cm2），優(yōu)于國(guó)際主流高可靠廠商的技術(shù)水平（如 Bosch G2）。
本芯片反向擊穿電壓大于1500V，閾值電壓穩(wěn)定在3.3V，在8英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)了具有商業(yè)價(jià)值的良率展示。
成功在8英寸晶圓上攻克包括MeV級(jí)高能離子注入、定晶向刻蝕、柵氧區(qū)域厚度分布調(diào)制、低缺陷高溫退火、低電阻歐姆接觸、高可靠性鈍化等多項(xiàng)SiC溝槽工藝難題，達(dá)到量產(chǎn)級(jí)工藝控制力。
成功建成國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平的全流程自主可控8英寸溝槽柵SiC?MOSFET工藝平臺(tái)，1200V?40mΩ等級(jí)溝槽柵SiC MOSFET晶圓CP良率90%以上，單片最高達(dá)到96%。
該工藝平臺(tái)的仿真制造對(duì)齊工作已基本完成，從核心元胞結(jié)構(gòu)到終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，全套動(dòng)靜態(tài)仿真與實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)吻合度>95%
據(jù)了解，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室建有全國(guó)首條集8吋SiC/GaN科研和中試于一體的功率半導(dǎo)體開放共享平臺(tái)，覆蓋第三代功率半導(dǎo)體襯底、外延、器件制備、封裝測(cè)試、失效分析、可靠性驗(yàn)證全鏈條，建成先進(jìn)的8英寸工藝平臺(tái)，具備向下兼容能力。
本文發(fā)自【行家說(shuō)三代半】，專注第三代半導(dǎo)體（碳化硅和氮化鎵）行業(yè)觀察。
