[存儲(chǔ)現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應(yīng)緊張；NAND緊缺推漲價(jià)格?

DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)情況:

DDR4現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)強(qiáng)勁需求，供應(yīng)緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應(yīng)緊張尤為突出。

工廠為緩解供應(yīng)問題，積極追加采購(gòu)，忙于尋找優(yōu)質(zhì)有資源價(jià)格合適的供應(yīng)商。 導(dǎo)致現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跳空上揚(yáng)，但是供應(yīng)商普遍采取惜售策略，實(shí)際成交量受限，甚至供應(yīng)商不希望客戶一次性采購(gòu)太多的行情。

在DDR5部分，市場(chǎng)需求相對(duì)疲弱，由于終端需求表現(xiàn)不佳，使得報(bào)價(jià)依舊維持疲軟態(tài)勢(shì)。

1.DDR4顆粒：供需失衡推高價(jià)格

數(shù)據(jù)來(lái)源：集邦咨詢

DDR4 1Gx8 3200/2666部分，SK Hynix DJR-XNC/CJR-XNC價(jià)格落在USD1.80~1.85，Samsung WC-BCWE由于現(xiàn)貨短缺，報(bào)價(jià)相對(duì)較不明確，WG-BCWE現(xiàn)貨同樣持續(xù)短缺，未見現(xiàn)貨價(jià)格，WC-BCTD報(bào)價(jià)跳升至USD3.20。

DDR4 512x8 2400/2666部分，Samsung WE-BCRC價(jià)格落在USD1.60左右，WF-BCTD一般報(bào)價(jià)維持在USD1.60~1.63左右。

DDR4 512x16 3200/2666部分，SK Hynix DJR-XNC現(xiàn)貨價(jià)格為USD2.40~2.50附近，Samsung WC-BCWE價(jià)格跳漲至USD3.20，WC-BCTD價(jià)格約在USD3.10~3.20。DDR4 256x16部分，Samsung WF-BCTD報(bào)價(jià)為USD1.60~1.63。

供應(yīng)緊張：三星、SK海力士等頭部廠商加速將DDR4產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存），導(dǎo)致DDR4現(xiàn)貨資源持續(xù)吃緊，尤其是8Gb、16Gb大容量顆粒。例如：SK Hynix DDR4 16Gb 3200現(xiàn)貨價(jià)格達(dá)2.40-2.50美元，三星同規(guī)格顆粒因短缺跳漲至3.20美元。64GB DDR4 RDIMM價(jià)格從Q1的140美元漲至155美元（漲幅10.7%）。

需求端支撐：中低端服務(wù)器、PC及邊緣計(jì)算場(chǎng)景仍依賴DDR4的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。美國(guó)廠商因關(guān)稅政策提前備貨，拉動(dòng)PC市場(chǎng)DDR4 SODIMM 8GB 3200價(jià)格漲至15.2美元（周漲4.83%）。

短期預(yù)測(cè)：原廠減產(chǎn)疊加關(guān)稅備貨需求，預(yù)計(jì)Q2價(jià)格環(huán)比漲幅3%-8%。

2. LPDDR4X顆粒：供應(yīng)緊縮但需求分化, 小容量超漲幅

數(shù)據(jù)來(lái)源：閃存市場(chǎng)

產(chǎn)能轉(zhuǎn)移：三星、SK海力士將LPDDR4X產(chǎn)能轉(zhuǎn)向LPDDR5X，同時(shí)減少對(duì)中國(guó)大陸市場(chǎng)的出貨，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場(chǎng)供應(yīng)缺口擴(kuò)大。例如：LPDDR4X 96Gb周漲2.91%，32Gb周漲8.56%,16Gb周漲5.33%。中低端手機(jī)（如華為nova13系列）激活量激增，推動(dòng)LPDDR4X 16Gb需求。

價(jià)格矛盾：雖然供應(yīng)端報(bào)價(jià)上漲，但終端客戶因銷售疲軟、庫(kù)存充足，對(duì)高價(jià)接受度低，實(shí)際成交有限。

3. LPDDR5顆粒：高端需求主導(dǎo)，現(xiàn)貨行情平穩(wěn)

市場(chǎng)重心轉(zhuǎn)移：原廠優(yōu)先保障LPDDR5X及HBM產(chǎn)能，LPDDR5現(xiàn)貨市場(chǎng)未出現(xiàn)顯著波動(dòng)。

應(yīng)用場(chǎng)景：高端智能手機(jī)（如旗艦機(jī)型）及AI設(shè)備對(duì)LPDDR5X需求旺盛，但現(xiàn)貨市場(chǎng)尚未形成獨(dú)立行情，價(jià)格更多受合約市場(chǎng)牽引。

潛在風(fēng)險(xiǎn)：若智能手機(jī)市場(chǎng)復(fù)蘇不及預(yù)期，LPDDR5可能面臨價(jià)格回調(diào)壓力。

NAND Flash現(xiàn)貨市場(chǎng)情況：

1. eMMC顆粒：MLC/TLC低容量供應(yīng)緊缺推漲價(jià)格

供需矛盾：低容量eMMC（如8GB、16GB）因原廠減產(chǎn)舊制程NAND資源導(dǎo)致供應(yīng)持續(xù)緊張，疊加終端客戶“買漲不買跌”心理，備貨需求旺盛，價(jià)格連續(xù)數(shù)周上漲。8GB eMMC現(xiàn)貨價(jià)格周漲2%-5%，成交價(jià)逐步接近供應(yīng)商報(bào)價(jià)上限。16GB eMMC受手機(jī)中低端機(jī)型出貨支撐，價(jià)格環(huán)比Q1上漲約8%。

市場(chǎng)分化：高容量eMMC（如64GB以上）需求疲軟，終端客戶庫(kù)存充足且看跌后市，價(jià)格維持平穩(wěn)甚至小幅回調(diào)。

2. UFS顆粒：高端需求主導(dǎo)，價(jià)格博弈加劇

技術(shù)升級(jí)驅(qū)動(dòng)：UFS 4.0/4.1等高端產(chǎn)品受AI手機(jī)、旗艦機(jī)型需求拉動(dòng)（如小米14系列、三星Galaxy S25），原廠優(yōu)先保障合約市場(chǎng)供應(yīng)，現(xiàn)貨市場(chǎng)流通資源有限，價(jià)格穩(wěn)中有升。

UFS 4.0 512GB受AI手機(jī)備貨推動(dòng)，現(xiàn)貨報(bào)價(jià)達(dá)260-282元人民幣，但行業(yè)客戶因庫(kù)存壓力對(duì)高價(jià)接受度較低。

成本壓力：上游NAND Flash Wafer價(jià)格分化，低容量TLC Wafer因停產(chǎn)傳聞上漲，間接推高UFS成本，但終端議價(jià)能力制約實(shí)際成交漲幅。

3. eMCP顆粒：中低端手機(jī)需求支撐，供應(yīng)缺口擴(kuò)大

產(chǎn)能轉(zhuǎn)移影響：三星、SK海力士將LPDDR4X產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM及LPDDR5X，導(dǎo)致eMCP（eMMC+LPDDR4X組合）供應(yīng)缺口擴(kuò)大，現(xiàn)貨市場(chǎng)資源緊張。

16GB+16Gb eMCP價(jià)格周漲3%-5%，主要受華為nova系列、傳音低端機(jī)型備貨驅(qū)動(dòng)。

高端市場(chǎng)轉(zhuǎn)向uMCP（UFS+LPDDR5X），但中低端手機(jī)因成本敏感仍依賴eMCP，供需矛盾短期難緩解。

寫在最后的話：

DDR4：短期價(jià)格受供應(yīng)緊張支撐，但中長(zhǎng)期將隨DDR5滲透率提升逐步退出主流。

LPDDR4X：供需博弈持續(xù)，需關(guān)注政策補(bǔ)貼對(duì)終端需求的刺激效果。

LPDDR5：現(xiàn)貨市場(chǎng)受高端需求主導(dǎo)，價(jià)格穩(wěn)定性較高，但需警惕HBM擴(kuò)產(chǎn)對(duì)產(chǎn)能的分流。

eMMC：MLC/TLC低容量供應(yīng)緊缺推動(dòng)價(jià)格上漲。

UFS：收益于高端手機(jī)的需求拉動(dòng)，大容量UFS4.0/4.1供應(yīng)有限，成交價(jià)格穩(wěn)中有升。

eMCP: 中低端手機(jī)需求支撐，因LPDRAM供應(yīng)緊張，eMCP整體供應(yīng)縮減，現(xiàn)貨市場(chǎng)漲價(jià)明顯。