雖然高端光刻機領域,ASML一路絕塵,但是全球光刻機廠商,絕非ASML一家,能夠在這個舞臺上亮個相的,還有日本的尼康和佳能。
但尼康和佳能的光刻機產品,主要集中在i-line、KrF、ArF等類別,只能夠完成7nm級更成熟的工藝制程,而對于大家熟悉的EUV光刻機,也都無能為力。
但我們今天討論的不是光刻機,而是日本企業(yè)在這樣的背景下,會做出什么樣的選擇。
有人說日本搞不定EVU光刻機,是因為當年在技術分岔路口,干濕路線之爭,選擇錯了路線,從而眼睜睜看著ASML一路絕塵。那么而今,在ASML已成為絕對龍頭的當下,日本企業(yè)想要在EUV領域和ASML一較高下,打破這個銅墻鐵壁般生態(tài)幾乎無可能,那么日本企業(yè)會作何選擇呢?
種種跡象表明,日本公司并沒有放棄一切能夠趕超的機會。
近期,受益于全球半導體產能的擴張,日本佳能公司在傳統(tǒng)光刻機領域獲益頗豐。宣布擴大光刻機產能,投資額約380億日元,這屬于21年來首次。不僅如此,佳能還宣布將生產納米壓印光刻設備,稱之為下一代設備。
在半導體領域,納米壓印替代的是光刻環(huán)節(jié),通過將刻有電路圖形的模板壓印到相應的襯底上,實現圖形轉移后,然后通過熱或者UV光照的方法使轉移的圖形固化,以完成微納加工的“雕刻”步驟。
因為不需要復雜的光學系統(tǒng),更不需要EUV光刻機那樣龐大的、高功率的EUV的光源系統(tǒng),因此其系統(tǒng)要精簡很多。
納米壓印,在產業(yè)界早有應用,LED、MEMS、3D傳感、生物芯片、顯示及太陽能,以及近幾年比較火的AR光波導光柵等等。
但應用于集成電路制造,還處于產業(yè)化初期階段。在科研領域,已經有學者演示了通過納米壓印技術實現10nm分辨率的工藝。而大日本印刷(DNP)展示的一幅電子顯微鏡照片,測顯示納米壓印技術能夠實現14nm的線寬分辨率,相當于達到5nm芯片制程的能力。
簡單、緊湊、成本低、能耗少、生產效率高,有望成為EUV光刻的替代工藝,這也成為了日本企業(yè)“換道超車”的希望所在。
國內這兩年也有不少創(chuàng)業(yè)企業(yè)獲得了資本市場青睞,典型的如天仁微納,獲得了中芯聚源、哈勃投資等頭部機構的認可,研發(fā)了多款高精度紫外納米壓印設備,適用于DOE、AR/VR衍射光波導、線光柵偏振、超透鏡、生物芯片、LED、微透鏡陣列等應用領域。