SiC MOSFET

• SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性

  安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。 SiC Combo JFET 技術(shù)概覽 對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常

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  06/26 08:50

  安森美 SiC MOSFET

  
• CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

  之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點及導(dǎo)通特性

  英飛凌

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  06/24 12:38

  SiC MOSFET

  
• TMC2025 課后作業(yè)|半導(dǎo)體分論壇

  作為一個日常斷更的公眾號，今天的更新需要出發(fā)點是上周TMC展留下的課后作業(yè)。有幸成為TMC的合作媒體，參加了上周為期兩天的TMC會議，以下給大家先“匯報”下第17屆TMC會議的成果：

  Disciple

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  06/23 10:19

  第三代半導(dǎo)體 SiC MOSFET

  
• ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半導(dǎo)體的仿真速度實現(xiàn)質(zhì)的飛躍

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。 功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模

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  06/10 16:19

  功率半導(dǎo)體 ROHM

  

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