SiC MOSFET

• SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性

  安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。 SiC Combo JFET 技術(shù)概覽 對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常

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  06/26 08:50

  安森美 SiC MOSFET

  
• CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

  之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性

  英飛凌

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  06/24 12:38

  SiC MOSFET

  
• TMC2025 課后作業(yè)|半導(dǎo)體分論壇

  作為一個(gè)日常斷更的公眾號(hào)，今天的更新需要出發(fā)點(diǎn)是上周TMC展留下的課后作業(yè)。有幸成為T(mén)MC的合作媒體，參加了上周為期兩天的TMC會(huì)議，以下給大家先“匯報(bào)”下第17屆TMC會(huì)議的成果：

  Disciple

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  06/23 10:19

  第三代半導(dǎo)體 SiC MOSFET

  
• ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半導(dǎo)體的仿真速度實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。 功率半導(dǎo)體的損耗對(duì)系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過(guò)提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模

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  06/10 16:19

  功率半導(dǎo)體 ROHM

  
• 柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用

  碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來(lái)看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對(duì)于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應(yīng)當(dāng)保證設(shè)計(jì)靈活性，以滿足不同的任務(wù)需求，無(wú)需大量設(shè)計(jì)工作和設(shè)計(jì)布局變化。

  英飛凌

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  05/27 11:30

  SiC MOSFET

  
• 碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

  在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開(kāi)這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見(jiàn)：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。

  英飛凌

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  05/27 08:49

  碳化硅 SiC MOSFET
• 東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

  東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。 四款新器件是首批采用小型表貼DFN

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  05/20 17:50

  二極管 東芝

  
• 意法半導(dǎo)體車規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器提升電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的可擴(kuò)展性和性能

  意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設(shè)置的安全保護(hù)和豐富的診斷功能，確保電驅(qū)系統(tǒng)通過(guò)ISO 26262 ASIL D認(rèn)證。STGAP4S驅(qū)動(dòng)器集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和反激式電源控制器，功能豐富，取得了功能安全標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，適用于設(shè)計(jì)可擴(kuò)展的電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)。 STGAP4S的設(shè)計(jì)靈活性歸功于輸出電路，該電路允許將高

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  05/12 18:12

  意法半導(dǎo)體 IGBT

  
• 致瞻科技：SiC MOS是800V汽車空調(diào)的首選

  致瞻科技創(chuàng)始人史經(jīng)奎和浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)發(fā)表了題為《SiC MOSFET：800V電動(dòng)汽車空調(diào)壓縮機(jī)的必然趨勢(shì)》的論文。該團(tuán)隊(duì)旗幟鮮明地指出，與硅基IGBT相比，SiC MOSFET是800V電動(dòng)汽車電動(dòng)壓縮機(jī)的首選。

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

  1404

  04/03 08:58

  SiC MOSFET 空調(diào)壓縮機(jī)

  
• 福特汽車：SiC MOS檢測(cè)新方法，低成本、更簡(jiǎn)單

  最近，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET質(zhì)量問(wèn)題感覺(jué)有點(diǎn)被“以偏概全”、過(guò)度放大了，一定程度影響了整體國(guó)產(chǎn)品牌的聲譽(yù)，但實(shí)際上一些頭部國(guó)產(chǎn)品牌的碳化硅器件質(zhì)量管控體系還是不錯(cuò)，行業(yè)還是要看到和可能近些年國(guó)產(chǎn)碳化硅的進(jìn)步，而且需要給更多的國(guó)產(chǎn)品牌一些成長(zhǎng)的“時(shí)”和“機(jī)”。

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

  1014

  03/28 14:31

  SiC MOSFET
• 2家SiC企業(yè)實(shí)現(xiàn)主驅(qū)突破，今年MOS國(guó)產(chǎn)化率將達(dá)20%？

  近日，國(guó)內(nèi)2家SiC企業(yè)先后宣布實(shí)現(xiàn)了主驅(qū)突破：● 清純半導(dǎo)體：通過(guò)大眾集團(tuán)POT審核，成為大眾汽車中國(guó)本土碳化硅芯片供應(yīng)商；●?芯粵能：成功開(kāi)發(fā)出第一代SiC溝槽MOSFET工藝平臺(tái)，旗下芯片有望在今年上半年上車。

  行家說(shuō)三代半

  1199

  03/26 09:50

  SiC MOSFET

  
• 比亞迪、長(zhǎng)安自研SiC新進(jìn)展：1200V溝槽、流片下線

  近日，比亞迪及長(zhǎng)安汽車在車規(guī)SiC MOSFET主驅(qū)芯片的研制上均宣布了新進(jìn)展——比亞迪：開(kāi)始瞄準(zhǔn)高耐壓領(lǐng)域，宣布將開(kāi)發(fā)1200V 溝槽SiC MOSFET；長(zhǎng)安汽車：SiC功率芯片進(jìn)入了流片下線新階段，加速產(chǎn)業(yè)化落地。

  行家說(shuō)三代半

  1422

  03/07 10:35

  SiC SiC MOSFET

  
• eVTOL電控技術(shù)創(chuàng)新，采用分立SiC MOSFET

  2月20日，國(guó)外媒體“RealIZM 博客”報(bào)道了一個(gè)eVTOL垂直升降飛行器的碳化硅電控設(shè)計(jì)創(chuàng)新案例，在碳化硅技術(shù)方面，該電控有2個(gè)亮點(diǎn)：

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

  2745

  02/24 09:15

  SiC MOSFET eVTOL

  
• 英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

  電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC? MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSC

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  02/20 13:01

  英飛凌 MOSFET

  
• 三代進(jìn)化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析

  SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來(lái)越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運(yùn)行頻率更高，有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu)，有利于開(kāi)發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。

  安森美半導(dǎo)體

  1463

  02/20 10:55

  安森美 SiC MOSFET
• SiC MOSFET短路時(shí)間為什么小?!

  今天，我們的話題是為什么SiC MOSFET的短路耐受時(shí)間比較??？希望你們能夠喜歡！

  Disciple

  673

  01/21 11:23

  SiC MOSFET 短路
• 首款新型TPSMB非對(duì)稱TVS二極管為汽車SiC MOSFET提供卓越的柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)

  Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出TPSMB非對(duì)稱TVS二極管系列，這是首款上市的非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管，專門(mén)用于保護(hù)汽車應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。 這一創(chuàng)新產(chǎn)品滿足下一代電動(dòng)汽車 (EV) 系統(tǒng)對(duì)可靠過(guò)壓保護(hù)日益增長(zhǎng)的需求，提供一種結(jié)構(gòu)緊湊的單元件解決方案

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  1049

  2024/12/30

  MOSFET Littelfuse

  
• 為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？

  如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數(shù)據(jù)中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個(gè)1U機(jī)架通常只有5 kW，增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。

  安森美半導(dǎo)體

  2221

  2024/12/24

  數(shù)據(jù)中心 功率半導(dǎo)體

  
• 愛(ài)仕特內(nèi)絕緣型 SiC MOSFET：高效能應(yīng)用的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)引擎

  愛(ài)仕特近期推出了1200V和1700V兩款內(nèi)絕緣型TO-247-4封裝的SiC MOSFET。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在保持標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸，通過(guò)內(nèi)置陶瓷片優(yōu)化了絕緣和導(dǎo)熱性能，背面散熱器做了懸浮電位設(shè)計(jì)，減少了外部絕緣材料依賴，降低了材料老化導(dǎo)致的長(zhǎng)期運(yùn)行故障風(fēng)險(xiǎn)，增強(qiáng)了產(chǎn)品可靠性和耐用性。

  愛(ài)仕特科技

  3549

  2024/12/04

  MOSFET SiC MOSFET

  
• 提高工業(yè)電機(jī)效率：采用SiCMOSFET技術(shù)的三相逆變器

  工業(yè)電機(jī)需要可靠、高效的電源解決方案。這款采用SiC（碳化硅）MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)的三相逆變器代表著在滿足現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用的功率和效率需求方面邁出了重要一步。SiCMOSFET因其降低導(dǎo)通電阻和增加擊穿電壓的能力而受到認(rèn)可，使其成為高壓、高效應(yīng)用的理想選擇。在本文中，我們將介紹逆變器的規(guī)格、關(guān)鍵組件和操作功能。

  騰恩科技

  730

  2024/11/15

  SiC MOSFET 三相逆變器

  

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