SMD

• 用于高頻測量的分流電阻串聯(lián)電感補償

  作者：泰克應(yīng)用工程師，Seamus Brokaw 表面貼裝電阻器 (SMD) 和現(xiàn)成的電流檢測電阻器 (CVR) 會引入寄生電感，從而導(dǎo)致振鈴和過沖峰值失真。本文描述了一種定義簡單 RC 濾波器的技術(shù)，以實現(xiàn)超過 1 MHz 的基于分流器的電流測量。使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）測量來確定物理分流 器的頻率響應(yīng)。時域測量顯示了寄生電感的影響。 然后將分流器建模為一個串聯(lián) RL 電路，并在仿真中 添加

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  10小時前

  濾波器 SMD

  
• SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)

  基于多個高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來獨特優(yōu)勢：設(shè)計自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個 MOSFET 無法滿足功率需求時，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。 然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱

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  06/19 17:35

  MOSFET 散熱器

  

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