SK海力士

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Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商，源于韓國(guó)品牌英文縮寫(xiě)"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存，2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商，也在整個(gè)半導(dǎo)體公司中占第九位。2019年9月5日，SK海力士設(shè)在中國(guó)無(wú)錫的半導(dǎo)體工廠(chǎng)已經(jīng)完全使用中國(guó)生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。2022年8月，媒體報(bào)道，海力士計(jì)劃在美國(guó)新建先進(jìn)芯片封裝廠(chǎng)，預(yù)計(jì)明年第一季度破土動(dòng)工。

Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商，源于韓國(guó)品牌英文縮寫(xiě)"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存，2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商，也在整個(gè)半導(dǎo)體公司中占第九位。2019年9月5日，SK海力士設(shè)在中國(guó)無(wú)錫的半導(dǎo)體工廠(chǎng)已經(jīng)完全使用中國(guó)生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。2022年8月，媒體報(bào)道，海力士計(jì)劃在美國(guó)新建先進(jìn)芯片封裝廠(chǎng)，預(yù)計(jì)明年第一季度破土動(dòng)工。收起

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  • 突發(fā)！美國(guó)擬撤銷(xiāo)在華晶圓廠(chǎng)“豁免”！
    當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 20 日，《華爾街日?qǐng)?bào)》曝出一則重磅消息：美國(guó)商務(wù)部副部長(zhǎng)杰弗里?凱斯勒已向三星電子、SK 海力士、臺(tái)積電等在中國(guó)大陸擁有晶圓廠(chǎng)的制造商傳達(dá)，美國(guó)正計(jì)劃取消它們?cè)谥袊?guó)使用美國(guó)技術(shù)的豁免權(quán)。
  • 突發(fā)！美國(guó)擬撤銷(xiāo)對(duì)三星/SK海力士/臺(tái)積電在華晶圓廠(chǎng)“豁免”
    當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月20日，據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》援引知情人士的話(huà)報(bào)道稱(chēng)，負(fù)責(zé)美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）的商務(wù)部副部長(zhǎng)杰弗里·凱斯勒 （Jeffrey Kessler）?已經(jīng)通知三星電子、SK海力士、臺(tái)積電等在中國(guó)大陸擁有晶圓廠(chǎng)的晶圓制造商，美國(guó)計(jì)劃取消允許它們?cè)谥袊?guó)使用美國(guó)技術(shù)（主要是半導(dǎo)體設(shè)備）的豁免。
    突發(fā)！美國(guó)擬撤銷(xiāo)對(duì)三星/SK海力士/臺(tái)積電在華晶圓廠(chǎng)“豁免”
  • 突發(fā)！SK海力士280億項(xiàng)目遭起訴！
    SK海力士在美國(guó)印第安納州的“高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）半導(dǎo)體封裝及研發(fā)工廠(chǎng)項(xiàng)目”正面臨當(dāng)?shù)鼐用竦男姓V訟。如果項(xiàng)目延期，預(yù)計(jì)將影響其獲得《芯片保護(hù)與信息處理法案》（CHIPS Act）補(bǔ)貼和集群建設(shè)計(jì)劃。
  • 千億晶圓大廠(chǎng)最新進(jìn)展來(lái)了，或提前投產(chǎn)
    6月5日，SK海力士位于忠清北道清州市的新工廠(chǎng)“M15X”施工現(xiàn)場(chǎng)。10多臺(tái)高聳的起重機(jī)和數(shù)千名工人在約6萬(wàn)平方米、相當(dāng)于10個(gè)足球場(chǎng)大小的工地上忙碌著。作為DRAM生產(chǎn)基地的晶圓廠(chǎng)（半導(dǎo)體工廠(chǎng)）大樓的外骨骼結(jié)構(gòu)已基本完工，底層的裝修材料也已基本到位。
    千億晶圓大廠(chǎng)最新進(jìn)展來(lái)了，或提前投產(chǎn)
  • 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元
    2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫(kù)存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來(lái)的跌勢(shì)。 展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機(jī)業(yè)者陸續(xù)完成庫(kù)存去化，并積
    2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元
  • 2025年第一季前五大NAND Flash品牌廠(chǎng)營(yíng)收合計(jì)120.2億美元
    2025年第一季NAND Flash供應(yīng)商在面對(duì)庫(kù)存壓力和終端客戶(hù)需求下滑的情況下，平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)季減15%，出貨量減少7%，即便季末部分產(chǎn)品價(jià)格回升，帶動(dòng)需求，但最終前五大NAND Flash品牌廠(chǎng)營(yíng)收合計(jì)為120.2億美元，季減近24%。 展望第二季營(yíng)收表現(xiàn)，隨著終端買(mǎi)家?guī)齑嬷饾u降至健康水位，NAND Flash價(jià)格觸底反彈，加上國(guó)際形勢(shì)變化促使部分廠(chǎng)商積極拉貨，預(yù)估第二季品牌廠(chǎng)營(yíng)收表
    2025年第一季前五大NAND Flash品牌廠(chǎng)營(yíng)收合計(jì)120.2億美元
  • SK海力士送了一口氣，設(shè)備商工程師開(kāi)始返回工廠(chǎng)
    韓美半導(dǎo)體時(shí)隔一個(gè)月，于上月中旬將撤離SK海力士利川校區(qū)的TC Bonder CS工程師重新召回。據(jù)了解，SK海力士高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）供應(yīng)鏈多元化引發(fā)的沖突已得到解決。
    SK海力士送了一口氣，設(shè)備商工程師開(kāi)始返回工廠(chǎng)
  • 突發(fā)！SK海力士77份HBM機(jī)密文件被泄露
    金某曾是SK 海力士的員工，因竊取技術(shù)并轉(zhuǎn)讓給國(guó)外企業(yè)而受到審判，他被發(fā)現(xiàn)持有77 份與高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM) 相關(guān)的文件，這些文件在一臺(tái) iPad 上。 HBM是SK海力士旗下的尖端技術(shù)，被稱(chēng)為人工智能（AI）的引擎。
    突發(fā)！SK海力士77份HBM機(jī)密文件被泄露
  • SK海力士助力，SK Square一季度利潤(rùn)暴漲410%
    SK Square今年第一季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)比去年同期增長(zhǎng)了410%。?SK海力士權(quán)益法利潤(rùn)的增長(zhǎng)推動(dòng)了其業(yè)績(jī)。該公司信息和通信技術(shù)（ICT）子公司的利潤(rùn)和虧損也有所改善。
  • SK海力士中國(guó)市場(chǎng)Q1腰斬再腰斬！
    今年第一季度，SK海力士在美國(guó)市場(chǎng)的銷(xiāo)售額占其總銷(xiāo)售額的70%以上，這主要得益于其高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)。SK海力士5月15日發(fā)布的季度報(bào)告顯示，今年第一季度，美國(guó)市場(chǎng)占總銷(xiāo)售額（17.6391萬(wàn)億韓元）的72%（12.7945萬(wàn)億韓元）。與去年第一季度占50%的美國(guó)銷(xiāo)售額（6.3126萬(wàn)億韓元）相比，大幅增加了22個(gè)百分點(diǎn)（P）。
    SK海力士中國(guó)市場(chǎng)Q1腰斬再腰斬！
  • SK海力士又采購(gòu)HBM設(shè)備
    隨著SK海力士、韓美半導(dǎo)體、韓華半導(dǎo)體三家在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的三足鼎立之勢(shì)持續(xù)，業(yè)界正關(guān)注SK海力士本月的新設(shè)備訂單。這是因?yàn)闆_突的方向可能會(huì)根據(jù)?SK Hynix?的選擇而改變。
    SK海力士又采購(gòu)HBM設(shè)備
  • 民眾反對(duì)！6000億晶圓大廠(chǎng)項(xiàng)目延后29個(gè)月
    由于鄰近地方政府的反對(duì)，韓國(guó)京畿道龍仁市和SK海力士大幅改變了連接“半導(dǎo)體集群”的液化天然氣（LNG）熱電廠(chǎng)燃料供應(yīng)管道的建設(shè)路線(xiàn)。當(dāng)安城市將半導(dǎo)體集群指定為不受歡迎的設(shè)施并反對(duì)將其連接到城市的原始計(jì)劃時(shí)，龍仁市別無(wú)選擇，只能在城市內(nèi)開(kāi)辟一條新路線(xiàn)，增加道路和其他設(shè)施。因此，原定于今年2月按照政府計(jì)劃投入運(yùn)營(yíng)的SK海力士半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，因遭到包括市政府在內(nèi)的地方政府和居民的反對(duì)，竣工日期至少被推遲了29個(gè)月。
    民眾反對(duì)！6000億晶圓大廠(chǎng)項(xiàng)目延后29個(gè)月
  • 超越三星? 存儲(chǔ)大廠(chǎng)Q1營(yíng)業(yè)利潤(rùn)超350億元
    盡管海力士?2025?年?Q1?財(cái)報(bào)尚未正式發(fā)布（Hynix?定于?4?月?24?日公布第一季度業(yè)績(jī)并召開(kāi)電話(huà)會(huì)議）。DS投資證券預(yù)測(cè)SK海力士第一季度銷(xiāo)售額為17.6萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.9萬(wàn)億韓元（353億元人民幣）。就營(yíng)業(yè)利潤(rùn)而言，這一數(shù)字比現(xiàn)有共識(shí)（市場(chǎng)平均預(yù)期）6.5萬(wàn)億韓元高出5%。?結(jié)合行業(yè)趨勢(shì)與公司動(dòng)態(tài)，從以下維度預(yù)判其表現(xiàn)。
    超越三星? 存儲(chǔ)大廠(chǎng)Q1營(yíng)業(yè)利潤(rùn)超350億元
  • SK海力士DRAM市場(chǎng)份額首奪冠
    市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint最新報(bào)告顯示，2025年第一季度SK海力士以36%的市場(chǎng)份額首次超越三星電子（34%），成為全球DRAM市場(chǎng)新霸主。美光以25%的份額位居第三。這一歷史性突破主要得益于SK海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，其HBM市場(chǎng)份額高達(dá)70%。
    SK海力士DRAM市場(chǎng)份額首奪冠
  • 280億晶圓大廠(chǎng)項(xiàng)目又推遲
    SK海力士位于美國(guó)印第安納州西拉斐特的HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）工廠(chǎng)的開(kāi)工建設(shè)持續(xù)被推遲。據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w?THE EXPONENT?報(bào)道，當(dāng)?shù)卣畬⑽骼程毓S(chǎng)（SK?海力士的半導(dǎo)體芯片制造工廠(chǎng)所在地）重新規(guī)劃為工業(yè)用地的法令再次被推遲至?5?月?5?日。
    280億晶圓大廠(chǎng)項(xiàng)目又推遲
  • SK海力士官宣加速研發(fā)HBM4E
    SK Hynix?承諾及時(shí)供應(yīng)?HBM4E?以及量產(chǎn)?HBM4 12?層，從而加速其在?HBM?市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。SK海力士HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）事業(yè)企劃副社長(zhǎng)崔俊勇4月7日表示，“我們不僅將在今年量產(chǎn)12層HBM4（第6代HBM），還將適時(shí)供應(yīng)（第7代）HBM4E，以進(jìn)一步鞏固我們?cè)贖BM領(lǐng)域的領(lǐng)先地位”。
    SK海力士官宣加速研發(fā)HBM4E
  • SK海力士Q1利潤(rùn)將暴漲144%
    韓國(guó)投資證券表示，
    SK海力士Q1利潤(rùn)將暴漲144%
  • 1000億晶圓大廠(chǎng)年底投產(chǎn)
    SK海力士將于今年晚些時(shí)候在其清州工廠(chǎng)開(kāi)始生產(chǎn)高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM)。清州工廠(chǎng)M15X有望成為 HBM 的生產(chǎn)中心，為實(shí)現(xiàn)成立以來(lái)的最佳業(yè)績(jī)做出貢獻(xiàn)。SK海力士3月27日在京畿道利川總部舉行的第77次定期股東大會(huì)上宣布，將于今年年底在清州開(kāi)始生產(chǎn)HBM。
    1000億晶圓大廠(chǎng)年底投產(chǎn)

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