超越三星? 存儲(chǔ)大廠Q1營(yíng)業(yè)利潤(rùn)超350億元

盡管海力士?2025?年?Q1?財(cái)報(bào)尚未正式發(fā)布（Hynix?定于?4?月?24?日公布第一季度業(yè)績(jī)并召開電話會(huì)議）。

DS投資證券預(yù)測(cè)SK海力士第一季度銷售額為17.6萬億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.9萬億韓元（353億元人民幣）。就營(yíng)業(yè)利潤(rùn)而言，這一數(shù)字比現(xiàn)有共識(shí)（市場(chǎng)平均預(yù)期）6.5萬億韓元高出5%。?結(jié)合行業(yè)趨勢(shì)與公司動(dòng)態(tài)，從以下維度預(yù)判其表現(xiàn)。

1.核心增長(zhǎng)動(dòng)力：HBM?需求爆發(fā)與產(chǎn)能擴(kuò)張

HBM市場(chǎng)份額鞏固：Counterpoint?數(shù)據(jù)顯示，海力士2025年Q1 DRAM市占率達(dá)36%，首次超越三星（34%），其中?HBM在DRAM銷售額中的占比提升至45%，毛利率超過?60%。

產(chǎn)能加速釋放：為滿足英偉達(dá)、AMD?等客戶對(duì)HBM3E的需求，海力士將2025年資本支出計(jì)劃提升?30%至29?萬億韓元（約合?210?億美元），重點(diǎn)用于M15X?工廠建設(shè)，預(yù)計(jì)2025年底HBM產(chǎn)能將翻倍至每月?8?萬片晶圓。

技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)：海力士已完成12層HBM3E的英偉達(dá)的認(rèn)證，計(jì)劃?2025年Q3量產(chǎn)，其性能較8層產(chǎn)品提升?50%，單價(jià)溢價(jià)達(dá)?30%。

2.傳統(tǒng)業(yè)務(wù)：供需失衡與庫存壓力

DRAM價(jià)格分化：受AI?服務(wù)器需求拉動(dòng)，DDR5價(jià)格環(huán)比上漲?5%-8%，但PC和筆電市場(chǎng)用DDR4?價(jià)格持續(xù)下跌，整體DRAM均價(jià)環(huán)比微降?2%。

NAND業(yè)務(wù)承壓：企業(yè)級(jí)SSD需求增長(zhǎng)（環(huán)比?+ 15%）部分抵消消費(fèi)級(jí)NAND疲軟，但?NAND?晶圓價(jià)格仍環(huán)比下跌?3%-5%，毛利率預(yù)計(jì)維持在?25%-30%。

庫存去化進(jìn)展：盡管HBM庫周轉(zhuǎn)天數(shù)降至30以下，但傳統(tǒng)?DRAM?和?NAND?庫存仍需?2-3?季度才能回歸健康水平，Q1可能計(jì)提部分存貨減值。

AI需求主導(dǎo)。HBM、AI?芯片等高端產(chǎn)品成為增長(zhǎng)核心，而傳統(tǒng)存儲(chǔ)與消費(fèi)電子芯片面臨價(jià)格壓力。技術(shù)迭代加速。DDR5滲透率提升（預(yù)計(jì)?2025?年達(dá)?50%）、HBM?堆疊層數(shù)突破、3D NAND?密度升級(jí)將重塑行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)壁壘。