QFN

• 納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

  納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著簡(jiǎn)化GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應(yīng)用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢(shì)，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中

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  06/03 15:17

  GaN 納芯微

  
• 再流焊接時(shí)間對(duì)QFN虛焊有什么影響

  在QFN（Quad Flat No-leads）封裝元件的表面貼裝過程中，再流焊接時(shí)間對(duì)虛焊（soldering voids）有一定影響。虛焊是指焊點(diǎn)中存在空洞或氣泡等缺陷。以下是再流焊接時(shí)間對(duì)QFN虛焊的影響： 熔化和液態(tài)期： 較短的再流焊接時(shí)間可能導(dǎo)致焊料未完全熔化或液態(tài)期不充分，使得焊料無法有效地與焊盤和焊墊結(jié)合，從而增加虛焊的風(fēng)險(xiǎn)。 氣體排出： 適當(dāng)?shù)脑倭骱附訒r(shí)間有助于焊料內(nèi)的氣體充分排出

  eefocus_3901714

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  06/23 07:43

  QFN

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