GaN功率器件

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  • 英諾賽科氮化鎵熱設計指導(1)
    核心技術優(yōu)勢/方案詳細規(guī)格/產(chǎn)品實體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 隨著電子技術的不斷發(fā)展,電子產(chǎn)品日益趨向于小型化、高頻高性能化,因此 PCB 上電子元器件的密度也越來越大,芯片的尺寸越來越小,電子設備工作的熱流密度也不斷增大。根據(jù)相關調查顯示,溫度、振動、濕度和灰塵等因素是電力電子產(chǎn)品失效的主要原因其中55
    英諾賽科氮化鎵熱設計指導(1)
  • 國產(chǎn)OBC采用GaN!可節(jié)省1500元
    11月25日,匯川聯(lián)合動力在官微宣布,他們正式推出了新一代6.6 kW GaN車載二合一電源產(chǎn)品,該產(chǎn)品將車載充電器與車載直流變換器集成,采用GaN功率器件,達到了業(yè)內領先的96%充電效率和4.8 kW/L整機功率密度。
    國產(chǎn)OBC采用GaN!可節(jié)省1500元
  • 泰克先進半導體實驗室:量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試
    在泰克先進半導體開放實驗室,2024年8月份,我們有幸見證了量芯微(GaN Power)新一代1200V氮化鎵(GaN)功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠商,其最新產(chǎn)品在性能上的顯著提升,不僅展現(xiàn)了技術的進步,也為我們的客戶帶來了新的解決方案。 測試概覽 今年8月,我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件,其額定工作條件提升至1200V/20A(
    泰克先進半導體實驗室:量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試
  • 這家上市公司介入GaN芯片制造
    近日,國內將新增一個GaN功率芯片生產(chǎn)項目——8月8日,圓融光電科技股份有限公司發(fā)布公告稱,公司董事會已審議通過了關于GaN功率HEMT器件項目建設的議案。據(jù)悉,圓融科技與京皖智慧裝備研究院(馬鞍山)股份有限公司簽署了關于GaN功率HEMT器件工藝流片及相關服務的《項目合作協(xié)議》,未來將進一步推動落實。
    這家上市公司介入GaN芯片制造

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