借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動電源設(shè)計創(chuàng)新
當今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此,設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓撲。 GaN 可實現(xiàn)高頻開關(guān),這樣可減小無源器件的尺寸,從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術(shù)相比,GaN 還可降低開關(guān)、柵極驅(qū)動和反向恢復(fù)損耗,從而提高電源設(shè)計效率。 您可以使用 650V GaN FET 進行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換,或使用 100V 或 200V GaN FE