氮化鎵芯片

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  • 這家晶圓廠獲18億投資，將生產(chǎn)氮化鎵芯片
    4月6日，據(jù)外媒“the telegraph”報(bào)道，英國國防部長約翰·希利 (John Healey) 將向英國一家國有芯片工廠投資2億英鎊（約人民幣18.89億），用于對(duì)晶圓廠進(jìn)行升級(jí)，以生產(chǎn)制造氮化鎵芯片。
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  • AMEYA360代理：羅姆與臺(tái)積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(以下簡稱“臺(tái)積公司”)就車載氮化鎵功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 通過該合作關(guān)系，雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺(tái)積公司業(yè)界先進(jìn)的GaN-on-Silicon工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì)結(jié)合起來，滿足市場(chǎng)對(duì)高耐壓和
  • 氮化鎵芯片
    氮化鎵（GaN）芯片是一種新興的半導(dǎo)體材料，在電子行業(yè)中備受關(guān)注和廣泛應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)硅基芯片，氮化鎵芯片具有更高的開關(guān)速度、更低的功耗和更高的工作溫度，使其在功率電子、射頻通信、照明和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。

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