在半導(dǎo)體制造的不斷演進中,先進制程的發(fā)展一直是推動行業(yè)進步的關(guān)鍵力量。當制程工藝推進到28納米及以下,HKMG(High-K Metal Gate,高介電常數(shù)金屬柵極)技術(shù)成為了不可或缺的存在。 從物理原理角度來看,隨著制程尺寸縮小,傳統(tǒng)材料和技術(shù)面臨嚴峻挑戰(zhàn)。在晶體管中,柵極作為控制電流的關(guān)鍵結(jié)構(gòu),其性能直接影響著芯片的整體表現(xiàn)。當制程進入28納米以下,若繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO?)作為柵
XP Power的750W高壓電源系列可為半導(dǎo)體應(yīng)用提供所需的靈活性和精準控制。在離子注入、電子束焊接和電子束增材制造以及許多其他應(yīng)用領(lǐng)域工作的電氣設(shè)計工程師和系統(tǒng)集成工程師會對這款產(chǎn)品特別感興趣。 新的FT系列解決了工程師在有限的高壓集成經(jīng)驗和壓縮的項目時間表方面面臨的挑戰(zhàn)。這款新產(chǎn)品采用緊湊的19英寸機架式1U封裝,比市面上許多方案的高度降低了一半,可滿足對薄尺寸方案日益增長的需求。 FT系列