刻蝕工藝

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把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中,經(jīng)過掩模套準、曝光和顯影,在抗蝕劑膜上復印出所需的圖形,或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形,然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金屬薄膜(如鋁及其合金)上去,制造出所需的薄層圖案??涛g就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法,有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕;濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學反應進行刻蝕。

把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中,經(jīng)過掩模套準、曝光和顯影,在抗蝕劑膜上復印出所需的圖形,或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形,然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金屬薄膜(如鋁及其合金)上去,制造出所需的薄層圖案??涛g就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法,有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕;濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學反應進行刻蝕。收起

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    06/03 15:30
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    原子層刻蝕(ALE)是一種基于“自限性反應”的納米加工技術,其特點是以單原子層為單位,逐步去除材料表面,從而實現(xiàn)高精度、均勻的刻蝕過程。它與 ALD(原子層沉積)相對,一個是逐層沉積材料,一個是逐層去除材料。
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    01/16 08:39
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  • 等離子體刻蝕和濕法刻蝕的區(qū)別
    等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料,但它們的原理、過程、優(yōu)缺點及適用范圍都有很大的不同。
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  • 后段刻蝕工藝(BEOL ETCH)詳解
    “后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡稱BEOL ETCH)”作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié),其復雜性與重要性毋庸置疑。BEOL是指從金屬互連開始的晶圓制造階段,主要包括金屬布線、鈍化層沉積及相關圖形刻蝕。BEOL ETCH是針對這些材料和結(jié)構的精確圖形化過程,用以實現(xiàn)導線、過孔(Via)等功能結(jié)構。
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  • 濕法刻蝕是什么意思
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    請解釋刻蝕工藝的基本原理以及在半導體制造中的重要性。在選擇刻蝕工藝時,如何確定是使用干法刻蝕還是濕法刻蝕?請描述RIE(反應離子刻蝕)工藝的工作原理和應用場景。
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  • 干法刻蝕工藝中DC自偏壓的作用?
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  • 刻蝕工藝
    刻蝕工藝是一種重要的微納加工技術,廣泛應用于半導體制造、光學器件制造、集成電路生產(chǎn)等領域。通過控制化學溶液或等離子體對材料表面的侵蝕或剝離,實現(xiàn)對微細結(jié)構的加工和制備。刻蝕工藝在現(xiàn)代科技和工程中扮演著至關重要的角色,對微電子器件、傳感器、光學元件等的制造起著關鍵作用。

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