KF8TS25XX 芯片使用注意事項
芯片的 ESD 防護措施
KF8TS25XX 芯片提供滿足工業(yè)級 ESD 標準保護電路。建議用戶根據(jù)芯片存儲/應用的環(huán)境采取適當靜電防護措施。應注意應用環(huán)境的濕度;建議避免使用容易產(chǎn)生靜電的絕緣體;存放和運輸應在抗靜電容器、抗靜電屏蔽袋或導電材料容器中;包括工作臺在內(nèi)的所有測試和測量工具必須保證接地;操作者應該佩戴靜電消除手腕環(huán)手套,不能用手直接接觸芯片等。
芯片的 EFT 防護措施
KF8TS25XX 芯片提供滿足工業(yè)級 EFT 標準的保護電路。當 MCU 芯片應用在PCB系統(tǒng)時,需要遵守 PCB 相關設計要求,包括電源線、地線(包括數(shù)字/模擬電源分離,單點/多點接地等)、復位管腳保護電路、電源和地之間的去耦電容、高低頻電路單獨分別處理以及單/多層板選擇等。
芯片的 LATCH-UP 防護措施
為有效防護LATCH-UP損壞芯片,用戶需保證在VDD引腳上不出現(xiàn)異常高壓或者負壓。建議用戶在 VDD 和 VSS 之間并接兩個 105 和 102 大小的電容,電容盡量靠近芯片的VDD引腳。
芯片的焊接KF8TS25XX 芯片的焊接應按照工業(yè)標準的焊接要求,以免損壞芯片。手工焊接時注意焊接的溫度和焊接時間。
芯片的上電/斷電
KF8TS25XX 芯片提供獨立電源管腳。當 KF8TS25XX 芯片應用在多電源供電系統(tǒng)時,應先對 MCU 芯片上電,再對系統(tǒng)其他部件上電;反之,斷電時,先對系統(tǒng)其他部件斷電,再對 MCU 芯片斷電。若操作順序相反則可能導致芯片內(nèi)部元件過壓或過流,從而導致芯片故障或元件退化。