肖特基勢壘

肖特基勢壘，又稱肖特基結，是一種重要的半導體器件結構，在電子學領域得到廣泛應用。它由金屬和半導體材料之間形成的PN結與金屬之間的Schottky接觸組成。

1.肖特基勢壘是什么

肖特基勢壘是由金屬和半導體材料之間形成的PN結與金屬之間的Schottky接觸所構成的一種器件結構。在這種結構中，通過調節(jié)材料選擇、摻雜濃度以及接觸面積等條件，可以形成具有高速開關、低壓降、低噪聲等優(yōu)點的電極，并被廣泛應用于光電、微波、功率放大器和檢測器等領域。

2.肖特基勢壘的優(yōu)點

肖特基勢壘結構具有以下優(yōu)點：

• 快速響應：肖特基勢壘結構具有較快的響應速度，適用于高速開關和調制器的應用。
• 低壓降：肖特基勢壘結構中，金屬和半導體之間的勢壘比PN結低，具有更小的正向電壓降，并且不會出現(xiàn)熱失真。
• 低噪聲：由于肖特基接觸沒有耗散，因此具有較低的噪聲水平。
• 穩(wěn)定性好：相比于普通的接面二極管，肖特基勢壘結構的反向漏電流很小，具有更好的可靠性和長期穩(wěn)定性。

3.肖特基勢壘形成的物理過程

形成肖特基勢壘的關鍵是金屬與半導體材料之間的界面能量差異。當金屬與p型半導體接觸時，雙方之間存在能量勢壘，被稱為"空間電荷區(qū)"（Schottky勢壘），這種勢壘會限制大量載流子的移動，形成一種內部場。在外加電場作用下，少數(shù)載流子通過肖特基勢壘進入金屬，并在內部場的作用下運動，最終實現(xiàn)在半導體中的集成電路設計。