芯耀
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而且碧桂園這種級別的房地產公司，實力雄厚，開發(fā)建設經驗豐富，即便是以芯片之名行圈地之實，也是把地圈給碧桂園級別的公司更放心。與其把開發(fā)區(qū)的半導體規(guī)劃交給某些江湖騙子來打理，還不如讓地產商一邊搞生產，一邊搞建設?？紤]最壞情況，都失敗的話，至少地產商還完成了新城鎮(zhèn)化建設任務不是？
很多人在擔心國內一窩蜂上半導體會導致產能過剩，但我更擔心的是產能不足，或者說結構性不足。遍地投資必然會導致力量分散，力量分散就不能集中資源投入到先進產能中，在先進產能上與全球的差距就有可能被進一步被拉大。
中國臺灣地區(qū)存儲器發(fā)展史，足以警示。根據(jù)莫大康先生《中國臺灣存儲器之夢破碎》一文記載：
產業(yè)起步時間與韓國相當?shù)闹袊_灣地區(qū)，不甘心在半導體市場被韓國人超越，在 2004 年喊出口號“為什么韓國能，中國臺灣不能”，希望通過加大投資，在三至五年內，存儲器產業(yè)超過韓國，成為全球第一。
此時晶圓產線開始從 8 英寸過渡到 12 英寸，中國臺灣地區(qū)試圖復制韓國舊例，通過大舉投資鋪開產能來取勝。
產能提升方面，中國臺灣確實做到了。從 2004 年到 2008 年，中國臺灣地區(qū)在存儲器方面總投資達 300 億美元以上，擁有 20 條 12 英寸晶圓產線，位列全球第一。但這一波瘋狂投資過后，中國臺灣存儲器產業(yè)并未與韓國的爭斗中獲得勝利，三星與海力士仍是全球存儲器的前兩名。中國臺灣于 2008 年宣布放棄存儲器追趕策略。
在我 2016 年文章《臺廠殷鑒，做存儲器只靠錢堆與“土法煉鋼”無異》中，就這種分散投資方式弊端做過分析：
關于中國臺灣存儲器失敗的原因，除了莫老提到的主要依靠代工、缺乏自主技術與市場大環(huán)境不佳之外，分散投資也許是中國臺灣存儲器失敗的另一主因。
與韓國存儲器只投三星與海力士不同，中國臺灣 5 年 300 億美元灑向數(shù)家，當時排得上號的就有力晶、南亞、茂德、華邦電子，華亞科、瑞晶等廠商，這樣分攤下來每家的投入并不大。當時一個月產能 15 萬片的晶圓廠投資費用約為 50 億美元至 80 億美元，中國臺灣的總投資雖然多，但分散投出去，有能力建設這種超級大廠的公司幾乎沒有。一堆 5 萬片每月的產線加起來雖然比韓國多，但三條 5 萬片的產線產出才相當于一條 15 萬片產線，運營成本怎么比？
不但無力建設大廠，分散投資也會拖工藝選擇的后腿。2008 年時，在成品率相同的情況下，90nm 工藝的 DRAM 比 70nm 工藝的 DRAM 成本高 40%左右。
存儲器價格只看供需，不看成本，層層成本疊加上去的臺系存儲器廠商怎么和韓國人玩？2007 年至 2009 年內存市場非常不景氣，價格每日下跌，無法支撐“白菜價”內存的臺系廠商逐漸出局和被邊緣化。
分散投資會導致有市場競爭力的產能不足，而無市場競爭力的產能（或者說廢物）過剩。
從目前來看，
中國在投資量與集中度上都不如韓國
另外，以中國目前半導體產能擴張速度，不但設備廠商加班加點都完不成訂單，而且等設備到位后，有沒有足夠的人手來使工廠運轉起來，很成疑問。人才畢竟不像設備，可以加班生產，即便把能挖動的日韓人才都挖過來，恐怕也難以滿足市場需求。
所以，還是將芯片開發(fā)主導權交給碧桂園等比較好，由其出手，把開發(fā)區(qū)環(huán)境搞得更好，便于吸引人才。即使廠子黃了，還有房子住，這樣也就不會鬧出“中華芯都”這種笑話，畢竟正威集團是做金屬材料的，不如碧桂園專業(yè)。
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