芯耀
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智能手機(jī)作為高度集成化的精密電子設(shè)備，其內(nèi)部元件對靜電放電（ESD）極為敏感。智能手機(jī)內(nèi)部芯片（如處理器、存儲器、射頻模塊）的電路線寬已縮小至納米級，靜電放電產(chǎn)生的瞬時高壓（可達(dá)數(shù)千伏）可能直接擊穿芯片的絕緣層或柵極結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致功能失效、數(shù)據(jù)丟失甚至永久性損壞。觸摸屏、攝像頭模組、麥克風(fēng)、揚(yáng)聲器等外設(shè)接口在靜電沖擊下，也易出現(xiàn)觸控失靈、圖像噪點(diǎn)、音頻失真等問題，直接影響用戶體驗(yàn)。通過防靜電涂層、接口保護(hù)電路、抗靜電包裝材料等措施，可大幅降低靜電引發(fā)的質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)，確保手機(jī)在復(fù)雜環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。本文基于智能手機(jī)系統(tǒng)的各模塊電路進(jìn)行分解，介紹適合智能手機(jī)系統(tǒng)的防護(hù)方案以及防護(hù)器件推薦，使該系統(tǒng)通過IEC 61000‐4‐2和IEC 61000‐4‐5標(biāo)準(zhǔn)。
智能手機(jī)框圖與可用物料匯總
圖1 智能手機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)組成圖
智能手機(jī)的核心性能由應(yīng)用處理器（AP）和基帶處理器（BP）兩大核心模塊共同驅(qū)動，二者在架構(gòu)、功能及應(yīng)用場景上存在顯著差異，但需緊密協(xié)作以實(shí)現(xiàn)完整的通信與計(jì)算能力。手機(jī)電路主要由以下幾部分組成：
1. 射頻電路
負(fù)責(zé)無線信號的收發(fā)和調(diào)制解調(diào)，是手機(jī)實(shí)現(xiàn)通信功能的核心部分。它包含天線開關(guān)、功率放大器、濾波器等模塊，處理高頻信號，完成無線信號的接收和發(fā)射。
2. 基帶處理電路（BP）
處理數(shù)字信號的核心部分，包括基帶芯片（調(diào)制解調(diào)器）和協(xié)議棧處理單元。它負(fù)責(zé)信號的編解碼及通信協(xié)議控制，確保手機(jī)能夠與基站進(jìn)行正確的通信。
3. 應(yīng)用處理器（AP）
4. 電源管理電路
5. 外圍接口電路
6. 存儲器電路
包括RAM（隨機(jī)存取存儲器）和ROM（只讀存儲器），用于臨時存儲和長期存儲數(shù)據(jù)。RAM用于存儲當(dāng)前正在運(yùn)行的應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)，而ROM則用于存儲操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
7. 音頻處理器電路
處理手機(jī)的聲音信號，包括接收和發(fā)射音頻信號，是實(shí)現(xiàn)手機(jī)通話和音頻播放功能的關(guān)鍵部分。
應(yīng)用方案示例
湖南靜芯為智能手機(jī)系統(tǒng)內(nèi)各種接口及通信線路提供值得信賴的保護(hù)器件和應(yīng)用方案。由于手機(jī)內(nèi)部空間極為有限，小型封裝元件通過縮小占板面積，可釋放更多空間用于電池?cái)U(kuò)容、散熱模組優(yōu)化或增加功能模塊，所以在選擇接口保護(hù)器件的同時，需要考慮盡量選擇效率高尺寸小的器件。
1. KEY按鍵(BUTTON)
圖2 KEY按鍵靜電防護(hù)方案
表1 KEY按鍵可用物料匯總
2. Microphone(MIC)
圖3 Microphone靜電防護(hù)方案
表2 Microphone可用物料匯總
3. 觸摸屏(Touchscreen)
圖4 觸摸屏靜電防護(hù)方案
表3 觸摸屏可用物料匯總
4. 無線模塊
圖5 BLUE-ANT靜電防護(hù)方案
表4 BLUE-ANT可用物料匯總
5. 射頻模塊
圖6 射頻模塊靜電防護(hù)方案
表5 射頻模塊可用物料匯總
6. SIM卡接口
圖7 SIM卡接口靜電防護(hù)方案
表6 SIM卡接口可用物料匯總
7. SD卡接口
圖8 SD卡接口靜電防護(hù)方案
表7 SD卡接口可用物料匯總
8. USB接口
圖9 USB-C接口靜電防護(hù)方案
湖南靜芯設(shè)計(jì)的SEUCS2X3V1B擁有卓越的ESD 保護(hù)特性，專為保護(hù)超高速USB 差分線路而設(shè)計(jì)，同時保持0.14pF的極低線間典型電容，確保高速差分線TX+ ,TX- ,RX+, RX-的信號完整性。SEUCS2X3V1B可對單路高速數(shù)據(jù)線進(jìn)行靜電防護(hù)，工作電壓為 3.3 V，鉗位電壓僅為5.5V，封裝為DFN0603-2L，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范，在 ±15kV（空氣）和 ±15kV（接觸）下提供瞬變保護(hù)。
支持PD 3.0的USB接口可以提供高達(dá)100W的功率，則VBUS上的最大電壓可以達(dá)到20V，最大電流為5A。VBUS 引腳的安全性就需要使用工作電壓高于 20V的防護(hù)器件來保護(hù) VBUS 引腳。我們選用的是湖南靜芯的一款工作電壓為22V的瞬態(tài)轉(zhuǎn)向抑制器(TDS)，型號為ESTVS2200DRVR。TDS的工作方式與TVS二極管不同，且具有更為優(yōu)越的鉗位電壓和溫度特性。TDS不再使用傳統(tǒng)的PN結(jié)作為擊穿機(jī)制與浪涌電流泄放通路。相反，TDS采用浪涌額定金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）進(jìn)行浪涌電流泄放，以觸發(fā)電路作為主要鉗位元件。ESTVS2200DRVR器件為DFN封裝，工作電壓為22V，它具有24.6V的最小擊穿電壓和70A的峰值脈沖電流, 且符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范，在 ±30kV（空氣）和 ±30kV（接觸）下提供瞬變保護(hù)。
D+/D-兩個引腳是用于兼容USB 2.0接口，D+和D-引腳承載速率為480Mbps的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號，這對差分線上的電壓在正常工作條件下可以達(dá)到 5V。推薦采用湖南靜芯旗下ESD回掃型器件SEUCS2X3V1B，該器件的工作電壓為 3.3 V，鉗位電壓為僅5.5V，結(jié)電容僅為0.14pF，封裝為DFN0603-2L，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范，在 ±15kV（空氣）和 ±15kV（接觸）下提供瞬變保護(hù)。
CC/SBU引腳我們推薦使用湖南靜芯的雙向ESD靜電保護(hù)器件SEUCS2X24V1B，該器件采用超小型DFN0603-2L封裝，工作電壓為24V，鉗位電壓為5.6V，結(jié)電容僅為0.12pF， 符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范，在 ±15kV（空氣）和 ±15kV（接觸）下提供瞬變保護(hù)。
表8 USB-C接口可用物料匯總
總結(jié)與結(jié)論
智能手機(jī)靜電防護(hù)是貫穿設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、使用全生命周期的關(guān)鍵技術(shù)，隨著手機(jī)不斷發(fā)展，電路板尺寸持續(xù)縮小，手機(jī)靜電防護(hù)的重要性愈發(fā)凸顯。通過多層次防護(hù)措施，可有效降低靜電對設(shè)備的損害風(fēng)險(xiǎn)，保障用戶體驗(yàn)，防止智能手機(jī)因無法避免的靜電干擾出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失或硬件故障等情況。
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