今天一起學習下最差情況電路分析(WCCA)怎么做,里面有些事情是我們實際下手做了才知道。
首先看下這個標準《GJB/Z 223-2005?最壞情況電路分析指南》,這個標準定義了WCCA相關(guān)背景概念,也是我們能找到的比較對口的參考材料;具體地,里面介紹了計算WCCA的幾個方法,并給出了實例,包括極值法、平方根法、蒙特卡洛方法。
上面的標準建議大家仔細閱讀下,接下來我們找個電路來做下WCCA,就拿典型的高壓采樣電路來講,如下圖:此電路分壓電阻為5個1MΩ,采樣電阻為5.1KΩ,分壓后由BJB芯片采樣,假設(shè)輸入電壓為1000V。
接著我們把這三種關(guān)鍵器件的BOM自己定義一下:例如選用YAGEO的AC普通車規(guī)厚膜電阻為例,BJB選擇常用的2950,簡要看下怎么計算。
位號 | 型號 | 描述 | 廠家 |
R1/R2/R3/R4/R5 | AC1206DR-071ML | 1MΩ/1206/0.5%/100PPM | YAGEO |
R6 | AC0402DR-075K1L | 5.1KΩ/0402/0.5%/100PPM | YAGEO |
BJB | ADBMS2950 | / | ADI |
做WCCA的主要核心邏輯為三點,如下:
1、建立電路中關(guān)鍵器件參數(shù)公差表
2、建立電路輸出性能與參數(shù)的函數(shù)關(guān)系
3、在參數(shù)的公差范圍內(nèi),計算輸出最大值和最小值
那么我們首先要建立上面這些關(guān)鍵器件的公差表,對于電阻來講其關(guān)鍵參數(shù)是阻值,對BJB來講關(guān)鍵參數(shù)是ADC的精度;公差表的建立方法可參考降額標準的附錄B,里面講述了引起器件參數(shù)變化的因素有兩種類型:隨機性變化與偏置性變化,處理時將隨機性偏差當成正態(tài)分布處理,即求取其平方根值,偏置性偏差直接代數(shù)累加,最終再將二者相加。
標準中實際舉例如下圖:針對電容的容值做了一個公差表,其中將影響容值的各個主要因素做了一個羅列,并分成偏置性偏差與隨機性偏差兩種,填寫上具體數(shù)值,最終得到電容的最大值與最小值。
我們按照此思路來具體計算一下,先看下AC系列電阻影響阻值的因素有哪些;在其規(guī)格書中列出了很多阻值變化的影響因素,這里就需要做一個取舍,如果把所有因素都考慮進來的話精度會很差,過于嚴苛也沒有實際應(yīng)用意義,所以可以考慮實際會遭遇到的因素,例如初始阻值誤差、溫漂、焊接后的阻值漂移、老化等,這些量值都可以在規(guī)格書中找到;需要說明的是影響因素的取舍需要各自結(jié)合實際來判斷,這里給不出嚴格意義上的標準。
接著我們也同樣做一個公差表出來,下表是1MΩ電阻的公差表:其中初始阻值為±0.5%,焊接和老化直接從規(guī)格書中得到;溫漂的話需要轉(zhuǎn)換一下,按照±100ppm/℃、最大溫差65℃來計算,得到±0.65%;除此之外,對于分壓電阻還要考慮一個電壓系數(shù),一般為負值,這里假設(shè)是-20ppm/V,那么每個電阻分壓100V就對應(yīng)偏差為-0.2%;如果是5.1KΩ采樣電阻的話,電壓系數(shù)基本可以不考慮;最終把這些值按照前面的規(guī)則疊加在一起,就得到了最小最大值。
我們再看下得到的最差值,本來是0.5%精度的電阻,疊加主要影響因素之后,阻值精度就達到了將近1.5%,這個確實是比較出人意料的哈。
假如我們選擇YAGEO的車規(guī)薄膜電阻AT系列,做相同的計算得到下表:AT薄膜電阻我們可以選擇到精度±0.1%,溫漂±25ppm/℃,而焊接與老化后的偏差更低,電壓系數(shù)也更低,最終得到的阻值精度最差大概為0.4%,所以這個就是我們之前多采用薄膜電阻來做高壓采樣的原因(除了電化學腐蝕這個缺點外,薄膜電阻的精度優(yōu)勢太大了)。
然后是BJB的ADC采樣誤差計算,從BJB的規(guī)格書中可以得到其ADC影響精度的各個因素大小,還提供了1V以上的總誤差(TME),如果為了省事可以直接采樣TME誤差,但如果未提供TME誤差,那需要按照前面的方式,將主要影響因素做疊加;ADC精度的主要影響因素有增益、失調(diào)電壓、非線性和噪聲,這里不展開,直接采取TME誤差的±0.2%來計算。
總結(jié):
篇幅原因,后面再接著寫吧,今天就洗洗睡了;以上所有,僅供參考。