聊聊新凱來的刻蝕設(shè)備&友商統(tǒng)計數(shù)據(jù)（更新版）

上次Semicon China結(jié)束后我立即發(fā)布一個關(guān)于新凱來的量檢測設(shè)備和刻蝕設(shè)備的簡介和行業(yè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計。文章發(fā)布以后閱讀量和讀者反饋效果都非常不錯但刻蝕設(shè)備的分類上有些技術(shù)性錯誤，很容易給讀者產(chǎn)生誤導(dǎo)。所以我今天再修改一下產(chǎn)品分類，同時也增加幾家最新收集到的供應(yīng)商信息，發(fā)布一個新版本

這次新凱來一共發(fā)布了三款干法刻蝕設(shè)備：

其中武夷山1號是CCP（電容耦合等離子體，Capacitively Coupled Plasma）刻蝕設(shè)備，適用于介質(zhì)層的刻蝕。在這塊領(lǐng)域國內(nèi)的龍頭是中微半導(dǎo)體

武夷山3號是ICP（電感耦合等離子體，Inductively Coupled Plasma）刻蝕設(shè)備，適用于硅和硅鍺等材料的刻蝕。在這塊領(lǐng)域國內(nèi)華創(chuàng)和中微半導(dǎo)體等公司都有布局

武夷山5號是高選擇比刻蝕設(shè)備。他是一種通過優(yōu)化化學(xué)反應(yīng)選擇性，顯著增強目標材料與掩膜或下層材料刻蝕速率差異的技術(shù)。其核心原理是通過高活性自由基與材料之間的選擇性反應(yīng)實現(xiàn)刻蝕，同時最大程度抑制離子轟擊帶來的物理損傷。通常有兩種類型：CDE (化學(xué)干法刻蝕，Chemical Dry Etching)和RDE?(自由基干法刻蝕，Radical Dry Etching)

這個領(lǐng)域全球被TEL、AMAT、LAM所壟斷，國內(nèi)屹唐應(yīng)該是營收領(lǐng)先

新凱來沒有公開說明他們家設(shè)備是哪類，我暫且估計為第二種RDE

接下來我還是按照規(guī)矩整理一下以上三類干法刻蝕設(shè)備的全球供應(yīng)商數(shù)據(jù)供大家注）本表格中詳細數(shù)據(jù)的原始文檔，我放到了知識星球的云盤上供會員使用。如果您對此類數(shù)據(jù)有興趣，歡迎掃碼加入我的知識星球后獲?。ㄎ恼伦詈笥兄R星球數(shù)據(jù)內(nèi)容的簡單介紹）?

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