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瀾起科技（688008.SH）于2025年4月23日發(fā)布2025年第一季度報告顯示，公司業(yè)績延續(xù)高增長態(tài)勢，營收和凈利潤均創(chuàng)單季度歷史新高，核心驅(qū)動力來自AI產(chǎn)業(yè)需求爆發(fā)及?DDR5?內(nèi)存接口芯片的持續(xù)滲透。
一、營收與利潤雙高增，毛利率持續(xù)優(yōu)化
營收與凈利潤：一季度實現(xiàn)營業(yè)收入12.22億元，同比增長65.78%；歸母凈利潤5.25億元，同比大增135.14%；扣非凈利潤5.03億元，同比增長128.83%。這一增長遠超行業(yè)平均水平，主要得益于DDR5內(nèi)存接口芯片（RCD/DB）出貨量激增及高性能運力芯片(PCIe Retimer、MRCD/MDB?及?MXC)的規(guī)?；涞亍?/p>
毛利率：互連類芯片產(chǎn)品線毛利率提升至?64.50%，同比增加?3.57?個百分點，主要因?DDR5?子代迭代（第二、第三子代?RCD?芯片占比提升）及高毛利的高性能運力芯片（如?PCIe Retimer）銷售占比擴大。
費用控制：銷售費用、管理費用、研發(fā)費用合計增長?17.51%，顯著低于營收增速，體現(xiàn)了規(guī)模效應(yīng)下的費用優(yōu)化能力。
二、核心業(yè)務(wù)：DDR5市場滲透與接口芯片雙輪驅(qū)動
市場需求：AI?服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心對高帶寬內(nèi)存的需求推動DDR5滲透率加速提升。2025年第一季度，DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片出貨量同比大幅增長，且第二子代和第三子代RCD芯片出貨占比增加，推動該產(chǎn)品線收入同比增長約?60%。
技術(shù)優(yōu)勢：作為?DDR5?內(nèi)存接口芯片國際標準的主導(dǎo)者，公司已推出支持12800 MT/s速率的第二子代?MRCD/MDB?芯片，并啟動第五子代RCD芯片的量產(chǎn)研發(fā)，保持技術(shù)代際領(lǐng)先。
產(chǎn)品矩陣：三款高性能運力芯片（PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD）合計銷售收入1.35?億元，同比增長155%。其中，PCIe Retimer?芯片已在?AI?服務(wù)器中規(guī)?；瘧?yīng)用，MRCD/MDB?及?CKD?芯片進入行業(yè)規(guī)模試用階段。
技術(shù)突破：PCIe6.x/CXL3.x Retimer芯片完成送樣，PCIe7.0 Retimer?芯片啟動工程研發(fā)；CKD?芯片支持多通道內(nèi)存架構(gòu)，有效提升數(shù)據(jù)傳輸效率。
戰(zhàn)略意義：運力芯片（數(shù)據(jù)傳輸效率）成為?AI?系統(tǒng)性能瓶頸，公司通過?“算力?+?存力?+?運力”?協(xié)同布局，構(gòu)建全互連芯片解決方案，目標在未來?5-10?年成長為國際領(lǐng)先的全互連芯片設(shè)計公司。
三、行業(yè)發(fā)展趨勢與戰(zhàn)略規(guī)劃
AI?大模型訓(xùn)練對高帶寬內(nèi)存和高速互連芯片的需求激增。據(jù)IDC預(yù)測，2025?年全球AI?服務(wù)器市場規(guī)模將突破500?億美元，其中中國占比超30%，為瀾起科技的?DDR5?和運力芯片提供廣闊市場空間。
DDR5滲透率加速提升：2024年全球DDR5內(nèi)存滲透率約?30%，預(yù)計2025年將突破?50%，而瀾起科技憑借技術(shù)優(yōu)勢，在?DDR5?內(nèi)存接口芯片市場的份額已超?70%。
技術(shù)布局：在PCIe/CXL互連領(lǐng)域，公司深化與CPU/GPU廠商的合作，推動PCIe Switch等新產(chǎn)品研發(fā)；在以太網(wǎng)及光互連領(lǐng)域，計劃通過投資或自研切入高速光模塊市場，完善全互連芯片矩陣。
研發(fā)投入：一季度研發(fā)費用1.53?億元，占營收12.52%，重點投向CXL技術(shù)、PCIe7.0 Retimer?芯片及去抖時鐘芯片，確保技術(shù)代際領(lǐng)先。
四、核心產(chǎn)品介紹
內(nèi)存接口芯片
寄存緩沖器（RCD）：用來緩沖來自內(nèi)存控制器的地址、命令、時鐘、控制信號。
數(shù)據(jù)緩沖器（DB）：用來緩沖來自內(nèi)存控制器或內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號。RCD與DB組成套片，可實現(xiàn)對地址、命令、時鐘、控制信號和數(shù)據(jù)信號的全緩沖。
高性能運力芯片：
PCIe Retimer芯片?：用于CPU與GPU或AI?芯片之間的高速互連。
MRCD/MDB?芯片：用于服務(wù)器高帶寬內(nèi)存模組?MRDIMM，主要為?AI、高性能計算等領(lǐng)域提供更高帶寬的服務(wù)器主內(nèi)存解決方案。
MXC?芯片：用于內(nèi)存擴展和內(nèi)存池化，可滿足?AI、高性能計算等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用對內(nèi)存容量日益增長的需求。
時鐘驅(qū)動器芯片（CKD）：用于客戶端內(nèi)存模組CUDIMM、CSODIMM和CAMM，其主要作用是對內(nèi)存模組上的時鐘信號進行緩沖再驅(qū)動，CKD是JEDEC定義的標準化產(chǎn)品，當DDR5數(shù)據(jù)速率達到6400MT/s及以上時，PC/筆記本電腦的內(nèi)存模組需要搭配CKD芯片。
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