芯耀
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作者：豐寧
近期，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的價(jià)格上漲趨勢(shì)，引起業(yè)內(nèi)高度關(guān)注。
4月15日，在熱鬧非凡的上海慕尼黑電子展現(xiàn)場(chǎng)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫記者成功?“捕獲”?了多家存儲(chǔ)芯片公司的身影。
那么如今存儲(chǔ)市場(chǎng)的需求是否恢復(fù)？?jī)r(jià)格漲勢(shì)是否明晰？哪種細(xì)分存儲(chǔ)類型最先受到市場(chǎng)青睞？
帶著這些疑問(wèn)，一起聽聽，來(lái)自一線的聲音怎么說(shuō)？
?01存儲(chǔ)行情，這么說(shuō)
自?4?月?1?日閃迪、美光等存儲(chǔ)公司開啟漲價(jià)以來(lái)，截至?4?月中旬，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器市場(chǎng)中其實(shí)未有太多漲價(jià)聲音傳出。此前，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)公司的零售品牌致態(tài)宣布，自?4?月起上調(diào)提貨價(jià)格，漲幅或超?10%，成為這段時(shí)期國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)市場(chǎng)漲價(jià)動(dòng)態(tài)的少數(shù)代表。
彼時(shí)，業(yè)內(nèi)諸多人士心存疑慮：國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)市場(chǎng)究竟是否即將迎來(lái)漲價(jià)潮？
先說(shuō)結(jié)論，當(dāng)前市場(chǎng)中，不同類型存儲(chǔ)產(chǎn)品走勢(shì)各異。中高容量存儲(chǔ)市場(chǎng)，因存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)，調(diào)整幅度較大。于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，除兩家存儲(chǔ)芯片龍頭企業(yè)外，其余廠商主要在中低容量市場(chǎng)展開競(jìng)爭(zhēng)。這一市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)尤為激烈，但價(jià)格波動(dòng)敏感度較低。
在這次展會(huì)中，筆者采訪了三家國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片展商，以下是來(lái)自市場(chǎng)一線的一些看法。
兆易創(chuàng)新主要存儲(chǔ)產(chǎn)品包括NOR?Flash、SLC?NAND?Flash和?DRAM?三個(gè)部分。
關(guān)于當(dāng)前國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)行情，兆易創(chuàng)新表示，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模約1500億美元，但SPI NOR?Flash的市場(chǎng)規(guī)模大概只有30億美元，且主要是用于存儲(chǔ)代碼，它主打可靠性高、容量范圍廣、讀取性能高等特點(diǎn)。再?gòu)男枨蠖藖?lái)說(shuō)，每一個(gè)電子設(shè)備大概都需要1~2顆SPI NOR?Flash芯片。
SPI NOR?Flash芯片價(jià)格會(huì)隨市場(chǎng)波動(dòng)進(jìn)行小幅調(diào)整，但波動(dòng)幅度有限，因此這類產(chǎn)品或許不會(huì)如整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)般敏感。
聚辰半導(dǎo)體的主要存儲(chǔ)產(chǎn)品包括EEPROM和NOR Flash。
聚辰半導(dǎo)體表示，存儲(chǔ)需求其實(shí)一直都在呈現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，但國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，以技術(shù)相對(duì)成熟的?EEPROM?為例，近年來(lái)吸引了更多國(guó)產(chǎn)公司涉足該領(lǐng)域。
東芯半導(dǎo)體的主要存儲(chǔ)產(chǎn)品包括NAND Flash、NOR Flash、DRAM等。
東芯半導(dǎo)體也表示，國(guó)際存儲(chǔ)廠商此番漲價(jià)，主要集中在高規(guī)格?eMMC、高規(guī)格?NAND?以及高規(guī)格?DRAM?產(chǎn)品等領(lǐng)域。與之形成鮮明對(duì)比的是，國(guó)產(chǎn)廠商大多深耕中低容量市場(chǎng)。此市場(chǎng)不僅體量有限，而且入局玩家眾多，競(jìng)爭(zhēng)異常激烈。
?02存儲(chǔ)公司，下一個(gè)增長(zhǎng)點(diǎn)在哪？
日前，東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊指出，目前超九成存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額被國(guó)外存儲(chǔ)廠商占據(jù)，但國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)在利基型DRAM市場(chǎng)的商機(jī)正在顯現(xiàn)。
“利基型DRAM涵蓋DDR3、小容量DDR4及低功耗產(chǎn)品，市場(chǎng)規(guī)模約為100億美元。當(dāng)前，國(guó)際主流存儲(chǔ)供應(yīng)商在該領(lǐng)域的市場(chǎng)份額不足5%。隨著這些供應(yīng)商逐步退出利基型市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)供應(yīng)商迎來(lái)了寶貴的發(fā)展機(jī)遇。”陳磊分析稱。
那么，關(guān)于Flash市場(chǎng)未來(lái)的商機(jī)在哪里？
在與這三家公司的對(duì)話中，有這樣一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，被三次精準(zhǔn)提及。
東芯半導(dǎo)體指出，自?2020?年起，NOR Flash?需求于低谷中逐步復(fù)蘇，在?AIoT?場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為明顯。NAND Flash?商機(jī)主要集中在安防監(jiān)控、智能穿戴等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)容量的需求正不斷增長(zhǎng)。東芯半導(dǎo)體特別強(qiáng)調(diào)，在未來(lái)的汽車應(yīng)用里，NOR Flash?需求相較于傳統(tǒng)燃油車將超?10?倍，汽車領(lǐng)域無(wú)疑會(huì)成為強(qiáng)勁的增長(zhǎng)點(diǎn)。
東芯半導(dǎo)體提到，近年來(lái)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)紛紛朝著工控、醫(yī)療、車載等高規(guī)格存儲(chǔ)領(lǐng)域進(jìn)軍，意圖從競(jìng)爭(zhēng)白熱化的小容量市場(chǎng)突圍，轉(zhuǎn)向高毛利、高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。談及車載存儲(chǔ)芯片營(yíng)收占比，東芯半導(dǎo)體稱，因車載芯片驗(yàn)證周期長(zhǎng)、導(dǎo)入難度大，目前車載存儲(chǔ)貢獻(xiàn)的營(yíng)收占比尚低，不足?10%。不過(guò)，未來(lái)幾年，公司計(jì)劃將這一比例提升至?20%?以上 。
兆易創(chuàng)新表示，短期看，AI手機(jī)/PC放量直接拉動(dòng)NOR Flash用量；長(zhǎng)期看，XR、AI眼鏡等新興場(chǎng)景疊加汽車電子放量正打開增量空間。
在影響價(jià)格的因素中，消費(fèi)電子行業(yè)需求減弱是關(guān)鍵因素。電子產(chǎn)品換新周期延長(zhǎng)，致使消費(fèi)類存儲(chǔ)需求受到抑制。盡管汽車電子產(chǎn)品單價(jià)較高，在一定程度上緩解了消費(fèi)市場(chǎng)的不利影響，但汽車用存儲(chǔ)整體需求仍低于消費(fèi)電子。
不過(guò)，汽車電子未來(lái)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)趨勢(shì)明確，特別是對(duì)高性能、高容量車用存儲(chǔ)的需求正不斷增加，兆易創(chuàng)新也在持續(xù)提升自身汽車業(yè)務(wù)占比。數(shù)據(jù)顯示，2023?年兆易創(chuàng)新?SPI NOR Flash?全球市場(chǎng)份額為?19.1%，位居全球第二；到?2024?年，這一份額已提升至?20.4%。
對(duì)于聚辰半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品的未來(lái)增長(zhǎng)點(diǎn)，其認(rèn)為:
對(duì)于EEPROM來(lái)說(shuō)，其未來(lái)增長(zhǎng)點(diǎn)主要體現(xiàn)在兩方面，一方面汽車電子的需求直接拉動(dòng)EEPROM的需求，另一方面隨著?DDR5?內(nèi)存模組滲透率不斷提高，SPD?配套芯片市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，進(jìn)一步拉動(dòng)EEPROM的需求。目前公司已與瀾起科技合作開發(fā)?DDR5?內(nèi)存模組的?SPD?產(chǎn)品，下游客戶覆蓋主要內(nèi)存模組廠商。
而對(duì)于NOR Flash來(lái)說(shuō)，未來(lái)汽車應(yīng)用的高需求會(huì)明顯拉動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)。聚辰半導(dǎo)體表示，公司基于NORD?工藝平臺(tái)已開發(fā)了一系列車規(guī)級(jí)NOR Flash產(chǎn)品，具備強(qiáng)大的性能優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也在規(guī)劃完善更大容量NOR Flash產(chǎn)品系列，該產(chǎn)品將逐漸成為新的增長(zhǎng)點(diǎn)。
可以看到，在這兩條產(chǎn)品線的未來(lái)規(guī)劃中，車規(guī)級(jí)芯片均是一個(gè)關(guān)鍵詞。
?03存儲(chǔ)公司，盯上汽車
隨著新能源汽車的推廣和智能化趨勢(shì)的不斷演進(jìn)，尤其在新的電子電氣架構(gòu)下，國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)芯片的市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
而在本次展會(huì)中，汽車存儲(chǔ)芯片成為了上述三大存儲(chǔ)芯片公司重點(diǎn)關(guān)注的領(lǐng)域之一?。
兆易創(chuàng)新，車載存儲(chǔ)方案來(lái)了
此次，兆易創(chuàng)新攜90余款產(chǎn)品及解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展。
本次展品陣容涵蓋存儲(chǔ)器、微控制器、傳感器、模擬芯片等全系產(chǎn)品線，覆蓋數(shù)字能源、工業(yè)、汽車、消費(fèi)電子以及物聯(lián)網(wǎng)等重點(diǎn)領(lǐng)域。
其中車載存儲(chǔ)產(chǎn)品是本次的亮點(diǎn)之一。
兆易創(chuàng)新的GD25/55車規(guī)級(jí)SPI NOR Flash和GD5F?車規(guī)級(jí)SPI NAND Flash為汽車前裝市場(chǎng)以及需要車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的特定應(yīng)用提供高性能、高可靠性的閃存解決方案，目前全球累計(jì)出貨量已突破兩億顆。
在此次展會(huì)中，便可一窺該系列產(chǎn)品真容。
GD25/55車規(guī)級(jí)SPI NOR Flash已通過(guò)ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認(rèn)證，容量覆蓋齊全，并具有讀取速率高和可靠性高等特點(diǎn)，支持ECC算法與CRC校驗(yàn)，滿足車規(guī)等級(jí)Grade?1要求，支持105°和125°溫度規(guī)格。
本次展會(huì)重點(diǎn)展示了其在芯馳、聯(lián)陽(yáng)ITE、歐冶半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)外主流汽車平臺(tái)上的成熟應(yīng)用，全面覆蓋智能座艙、數(shù)字儀表、智能車燈控制等車載場(chǎng)景。
芯馳X9智能座艙方案，搭載的就是兆易創(chuàng)新GD25LF128J車規(guī)級(jí)SPI NOR Flash，其存儲(chǔ)容量為128Mbit，支持單通道，雙通道，四通道STR及四通道DTR模式，時(shí)鐘頻率最高可達(dá)166MHz?STR?，104MHz?DTR，支持ECC糾錯(cuò)功能。該智能座艙方案主要針對(duì)360°環(huán)視系統(tǒng)、語(yǔ)音喚醒等常見(jiàn)車載應(yīng)用場(chǎng)景中，能夠?qū)崿F(xiàn)快速啟動(dòng)、快速喚醒等功能。
歐冶智能車燈的方案，搭配的是一款3V的GD25F256F的Flash，存儲(chǔ)容量為256Mbit，支持單通道，雙通道，四通道STR及四通道DTR模式，時(shí)鐘頻率最高可達(dá)166MHz?STR?，104MHz?DTR，支持ECC糾錯(cuò)和CRC檢錯(cuò)功能，廣泛應(yīng)用與智能車燈，電子后視鏡的方案中。
聯(lián)陽(yáng)ITE9868車載儀表的方案，搭配3V的GD25B512MF的Flash，這是一款容量比較大的產(chǎn)品，其容量為512Mbit，支持單通道，雙通道，四通道模式，時(shí)鐘頻率最高可達(dá)133MHz，廣泛應(yīng)用與儀表，HUD和扶手屏的方案中。
聚辰半導(dǎo)體的車規(guī)級(jí)EEPROM等產(chǎn)品也吸引了大量觀眾駐足。
聚辰的EEPROM和NOR Flash芯片已通過(guò)AEC Q100 Grade 1車規(guī)認(rèn)證，具備極高的可靠性。其中，GT24C64E-2UDLA1-TR芯片已應(yīng)用于前視后視模塊，GT25Q16A-UEDLA1-TR芯片已應(yīng)用于DMS模塊，GT25Q80AUEDLA1-TR產(chǎn)品已應(yīng)用于OMS模塊。
而在此次展示中，聚辰推出的兩款明星產(chǎn)品有Automotive EEPROM--GT25A1024A和Automotive NOR Flash--GT25Q40C。
其中Automotive EEPROM--GT25A1024A已應(yīng)用于車載OBC和VCU?等相關(guān)模塊，內(nèi)置ECC的功能，滿足汽車應(yīng)用零失效的要求，產(chǎn)品擦寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持、功耗和速度等主要參數(shù)可與國(guó)外的同類產(chǎn)品媲美。
GT25A1024A的產(chǎn)品特性包括完全兼容工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口協(xié)議、支持常溫下400萬(wàn)的擦寫次數(shù)、數(shù)據(jù)可保持100年、已通過(guò)AEC-Q100 Grade 1車規(guī)認(rèn)證、已應(yīng)用于車廠客戶。
Automotive NOR Flash--GT25Q40C廣泛應(yīng)用于車載攝像頭和中控屏模塊，并在功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度、LU、ESD等其他關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國(guó)際前沿水平。
GT25Q40C的產(chǎn)品特性包括存儲(chǔ)容量達(dá)4M、工作電壓為1.65~3.6v、最高數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)416Mb/s、數(shù)據(jù)保持達(dá)50年、Latch up為650mA、ESD為6.5KV、現(xiàn)已通過(guò)AEC-Q100 Grade 1車規(guī)認(rèn)證。
東芯半導(dǎo)體，也有車載方案展出
東芯半導(dǎo)體的SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP系列均有產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100測(cè)試，適用于更嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)應(yīng)用環(huán)境，并實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)產(chǎn)品銷售。具體應(yīng)用場(chǎng)景包括ADAS、激光雷達(dá)、HMI、IVI、T-BOX等。
此次，東芯半導(dǎo)體也有部分車載存儲(chǔ)方案展出。
上圖所展示的應(yīng)用為東芯半導(dǎo)體2Gb 3.3V SPI/PPI NAND Flash在麥思美車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)中應(yīng)用方案。
東芯股份表示，未來(lái)將在滿足客戶工業(yè)級(jí)應(yīng)用需求的基礎(chǔ)上，將產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)逐步向車規(guī)級(jí)推進(jìn)，以順應(yīng)汽車產(chǎn)業(yè)在智能網(wǎng)聯(lián)功能的布局，大力發(fā)展可靠性要求更高的車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片，實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)閃存產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化目標(biāo)。
可以看到，從大容量存儲(chǔ)到定制化解決方案，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商在技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)拓展中正展現(xiàn)出強(qiáng)勁勢(shì)頭。未來(lái)，隨著人工智能、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶來(lái)存儲(chǔ)的需求持續(xù)提升，將為存儲(chǔ)提供更加廣闊的發(fā)展空間。
