芯耀
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愛仕特以“碳化硅4.0技術(shù)平臺”為核心，攜1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模塊三大“戰(zhàn)略新品”亮相N4館608展位，以極致性能與創(chuàng)新方案，成為全場焦點！這不僅展現(xiàn)了國產(chǎn)碳化硅技術(shù)的突破性進展，更標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體進入系統(tǒng)級應(yīng)用的新紀(jì)元。
現(xiàn)場直擊
工程師團隊與觀眾深入探討技術(shù)難題
第四代技術(shù)平臺
性能突破，定義行業(yè)新高度
1.兼容性革命
2.芯片級優(yōu)化
1700V/16mΩ SiC MOSFET：兼顧高耐壓與低損耗，為高壓應(yīng)用場景提供極致效率，成為1000V平臺、充電樁、儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)選。
1200V/10mΩ&1700V/16mΩ SiC MOSFET均采用TO247-4L封裝，搭載的第四代芯片已在2024年通過驗證并實現(xiàn)批量交付于終端客戶。
2.1200V/1000A SiC功率模塊目前已布局DCS12、MED、HPD三種封裝系列。自2025年第二季度起，愛仕特將推出多種封裝形態(tài)的功率器件產(chǎn)品系列，通過分階段市場推廣精準(zhǔn)適配終端客戶在封裝規(guī)格、功率等級等方面的差異化需求。
全場景應(yīng)用方案
從芯片到系統(tǒng)，賦能綠色未來
現(xiàn)場直擊
面向新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等戰(zhàn)略領(lǐng)域，愛仕特以碳化硅芯片、模塊及系統(tǒng)級解決方案為技術(shù)載體，深度賦能行業(yè)變革。未來，愛仕特將持續(xù)加大研發(fā)投入，以更優(yōu)質(zhì)的創(chuàng)新成果，助力客戶打造更高效、更可靠、更智能的能源解決方案，為全球碳中和目標(biāo)貢獻“中國芯”力量。在這里，未來已來，愛仕特正以全鏈實力，書寫碳化硅技術(shù)的新篇章！
