芯耀
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據(jù)半導(dǎo)體業(yè)界3月11日?qǐng)?bào)道，據(jù)悉，三星電子本月初已將ASML生產(chǎn)的首臺(tái)高NA?EUV設(shè)備“EXE:5000”引進(jìn)華城園區(qū)。該設(shè)備價(jià)格昂貴，價(jià)值達(dá)5000億韓元（24.95億元人民幣），而且全球只有ASML公司供應(yīng)。
三星電子自去年以來(lái)一直對(duì)高NA EUV設(shè)備進(jìn)行工藝應(yīng)用評(píng)估，據(jù)稱計(jì)劃將其用于2nm以下的下一代半導(dǎo)體工藝。
EUV曝光設(shè)備利用極紫外光在半導(dǎo)體晶圓上繪制納米級(jí)電路。半導(dǎo)體的電路線寬越窄，其功耗越低，數(shù)據(jù)處理速度越快。高NA EUV設(shè)備比現(xiàn)有的EUV設(shè)備性能進(jìn)一步提高。高NA是一種通過(guò)增加透鏡和反射器的尺寸來(lái)將表示聚光能力的數(shù)值NA從0.33增加到0.55的設(shè)備。
因此，高NA EUV被視為2納米以下下一代代工工藝的必備設(shè)備。全球半導(dǎo)體公司也紛紛競(jìng)相引入高NA EUV。據(jù)悉，英特爾已簽署購(gòu)買共六臺(tái)設(shè)備的合同，其中包括2023年交付的ASML首臺(tái)高NA EUV。臺(tái)積電近期也引進(jìn)了設(shè)備，加速2nm工藝的導(dǎo)入。
有人預(yù)期，此類設(shè)備的引入可能成為三星電子的一張“逆轉(zhuǎn)牌”。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce統(tǒng)計(jì)，臺(tái)積電去年第四季晶圓代工市場(chǎng)份額為67.1%，較上年第三、四季度分別上升2.4個(gè)百分點(diǎn)。另一方面，三星電子在市場(chǎng)上陷入困境，同期股價(jià)從?9.1%?下跌?1%?至?8.1%。
隨著差距不斷擴(kuò)大，有傳言稱臺(tái)積電將成為2nm市場(chǎng)的贏家。據(jù)悉，臺(tái)積電在去年底進(jìn)行的2nm試產(chǎn)中，良率已經(jīng)達(dá)到60%。隨著三星電子也開始準(zhǔn)備實(shí)現(xiàn)超精細(xì)電路，預(yù)計(jì)2納米以下半導(dǎo)體工藝的競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈。三星電子將完成高NA EUV設(shè)備的安裝，并開始構(gòu)建全面的生態(tài)系統(tǒng)。
三星電子晶圓代工事業(yè)本部長(zhǎng)韓進(jìn)萬(wàn)在上任后首次向高管和員工發(fā)表講話時(shí)表示，“我們率先實(shí)現(xiàn)了環(huán)柵（GAA）工藝轉(zhuǎn)型，但商業(yè)化方面仍存在諸多不足”，并下令將快速提升2nm工藝產(chǎn)能作為首要任務(wù)。
