英飛凌為汽車(chē)應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專(zhuān)為滿(mǎn)足高要求汽車(chē)應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動(dòng)汽車(chē)的汽車(chē)直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制（例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開(kāi)關(guān)以及電動(dòng)兩輪車(chē)和三輪車(chē)等。

TDSON汽車(chē)OptiMOS? 7

與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上，最高不超過(guò)1.3 mΩ，達(dá)到目前業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。該產(chǎn)品以5 x 6 mm2 封裝實(shí)現(xiàn)了更小的傳導(dǎo)損耗、超強(qiáng)的開(kāi)關(guān)性能和更高的功率密度等優(yōu)點(diǎn)。此外，IAUCN08S7N013 還具有封裝電阻和電感低以及抗雪崩電流能力強(qiáng)的特點(diǎn)。該半導(dǎo)體器件在汽車(chē)應(yīng)用方面已取得 AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)以上的認(rèn)證。

供貨情況

IAUCN08S7N013 現(xiàn)已量產(chǎn)并上市。