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英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝,為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率

2024/04/12
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英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)推出采用 OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù),具有出色的熱性能,可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元印刷電路板PCB)。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì),并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此,SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)、電子機(jī)械制動(dòng)(EMB)、配電、無刷直流驅(qū)動(dòng)器(BLDC)、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

PG-LHDSO-10-1-2-3組合

SSO10T TSC的占板面積為5 x 7 mm2,并且基于已確立的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SSO8(5 x 6 mm2的堅(jiān)固外殼)。但由于采用了頂部冷卻,SSO10 TSC的性能比標(biāo)準(zhǔn)SSO8高出 20%以上,最高可高出50%(具體取決于所使用的熱界面(TIM)材料和TIM的厚度)。SSO10T TSC封裝被JEDEC列為開放市場產(chǎn)品,能夠與開放市場第二供應(yīng)商的產(chǎn)品進(jìn)行廣泛兼容。因此,該封裝可作為未來頂部冷卻標(biāo)準(zhǔn)快速、輕松地推出。

SSO10T半導(dǎo)體封裝能夠?qū)崿F(xiàn)高度緊湊的PCB設(shè)計(jì),減少系統(tǒng)占用空間。它還通過消除通孔降低了冷卻設(shè)計(jì)的成本,進(jìn)而減少了整體系統(tǒng)成本和設(shè)計(jì)工作量。同時(shí),該封裝還提供高功率密度和高效率,從而支持面向未來的可持續(xù)汽車的發(fā)展。

供貨情況

首批采用SSO10T的40 V汽車MOSFET產(chǎn)品現(xiàn)已上市,分別是:IAUCN04S6N007T、IAUCN04S6N009T、IAUCN04S6N013T和IAUCN04S6N017T。

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英飛凌

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥诘聡鳱eubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。收起

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