SPI接口的SRAM：APS6404L

一、前言

這個(gè)小型的電子胸牌上有很多奇特的元器件。這個(gè) AP Memory 是一個(gè) SPI 接口的 SRAM。它具有 8M字節(jié)的容量。下面對它進(jìn)行初步測試。

二、制作測試電路

這顆具有SPI接口的RAM，工作電流從 2.7V 到3.6V。它的封裝似乎具有通用性，也就是和 2020年，我測試的另外一款SPI接口的RAM 相同，型號(hào)為 24LC1024。下面就使用相同的封裝建立測試電路。

▲ 圖1.2.1 APMemory 的封裝

??使用STM32F103作為測試控制器，使用它的 六個(gè) IO 連接 SRAM，完成讀寫。利用快速制版方法，制作測試電路。一分鐘后得到測試電路板。焊接元器件，其中的一個(gè)跳線，使用 0 歐姆電阻完成。下面對其進(jìn)行測試。

▲ 圖1.2.2 測試電路原理圖

▲ 圖1.2.3 測試電路PCB

ADTest2023TestAPM.PcbDoc

▲ 圖1.2.4 使用焊錫膏焊接芯片，非常完美

三、測試結(jié)果

焊接電路板之后，對 APS6404L進(jìn)行測試。測試 APS6404 的基本讀寫功能，然后在測試它的容量以及讀寫速度。根據(jù) APS6404的數(shù)據(jù)手冊，編寫最基本的慢速SPI讀寫過程，利用 普通的 IO口模擬 SPI序列，這樣便于移植。下載程序?；咀x寫功能正常。

▲ 圖1.3.1 測試電路板

??下面測試一下模擬SPI讀寫 串口RAM的速度。利用LED燈輸出端口標(biāo)志對RAM讀寫的起始時(shí)刻，對APS6404L填充 0x800 個(gè)零。?通過測試LED燈端口電壓信號(hào)?來測量讀寫所使用的時(shí)間。然后除以 0x800 之后，便可以獲得讀寫RAM 單個(gè)字節(jié)的平均時(shí)間了。這里測量訪問時(shí)間為 4.62ms。單個(gè)字節(jié)訪問時(shí)間為 2.25微秒。

▲ 圖1.3.2 讀寫時(shí)間

??由于是采用了模擬SPI口的方式，所以訪問單個(gè)字節(jié)所需要的時(shí)間比較長。如果將整個(gè)8兆字節(jié)全部讀一遍，需要花費(fèi)19秒鐘的時(shí)間。后面可以通過單片機(jī) SPI 硬件，便可以提高讀取速度，也可以通過 四路 IO 同時(shí)訪問的形式，來提高讀寫的速度。

※ 總??結(jié) ※

本文記錄了對SPI接口的串行SRAM進(jìn)行了測試。RAM的型號(hào)為APS6404L。測試了基本讀寫功能，為之后的應(yīng)用提供了經(jīng)驗(yàn)。賽讀寫速度方面并沒有發(fā)揮它的最高接口速度。

參考資料

[1]APS6404L-3SQR QSPI PSRAM: https://www.apmemory.com/wp-content/uploads/APM_PSRAM_QSPI-APS6404L-3SQR-v2.3-PKG.pdf

[2]單片機(jī)片外RAM，串行的: https://blog.csdn.net/zhuoqingjoking97298/article/details/105891541

[3]23A1024/23LC1024: https://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/20005142C.pdf