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高壓、高速功率MOSFET/IGBT驅動器:HPD2606X

05/19 13:22
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為提升工業(yè)電機能源轉換效率，讓電機能擁有更快的響應速度、更高的帶寬、更高精度的位置和速度控制，華普微于近期重磅推出了一款自主研發(fā)的高壓、高速的功率MOSFET和IGBT半橋驅動器——HPD2606X。

HPD2606X采用了專有HVIC和抗閂鎖CMOS技術，具有強固的電路結構。邏輯輸入端口兼容標準CMOS/LSTTL電平，最低支持3.3V邏輯信號。輸出驅動集成高脈沖電流緩沖電路，可有效抑制驅動信號交叉導通。此外，其浮動通道設計支持驅動高邊拓撲結構中的N溝道功率MOSFET或IGBT，最高工作電壓可達600V。

華普微 HOPERF

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華普微，物聯(lián)網(wǎng)無線通信系統(tǒng)級服務廠商，射頻芯片資深原廠，技術成熟強大，歡迎交流。

華普微，物聯(lián)網(wǎng)無線通信系統(tǒng)級服務廠商，射頻芯片資深原廠，技術成熟強大，歡迎交流。收起

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