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動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)，周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō)，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)，周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō)，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。收起

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  • 全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)營(yíng)收排名及趨勢(shì)預(yù)測(cè)（20205-Q1）
    最近，隨著全球主要存儲(chǔ)器廠商公布了今年Q1的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)，我也根據(jù)各方面數(shù)據(jù)整理了一系列最新營(yíng)收排名表和趨勢(shì)圖，供大家參考：1）Samsung、SK Hynix和Micron的數(shù)據(jù)來(lái)自各家官網(wǎng)發(fā)布的財(cái)報(bào)。其數(shù)據(jù)和DrameXchange發(fā)布的數(shù)據(jù)存在微小差異，所以我選擇以財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。 2）Samsung的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)里存儲(chǔ)器營(yíng)收沒有區(qū)分DRAM和NAND，所以我根據(jù)DrameXchange的數(shù)據(jù)，按照比
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  • 突發(fā)！千億晶圓廠項(xiàng)目推遲
    SK海力士在投資擴(kuò)大其尖端DRAM和HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）產(chǎn)能方面持謹(jǐn)慎態(tài)度。據(jù)悉，該公司推遲了原定的提前將設(shè)備引入新工廠的計(jì)劃，今年整體設(shè)備投資規(guī)模的最終確定時(shí)間也被推遲。
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  • DRAM，開啟30年“新賭局”
    DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來(lái)了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會(huì)在日本東京舉行，會(huì)議上SK海力士提出了未來(lái)30年的新?DRAM?技術(shù)路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術(shù)將應(yīng)用于10nm及以下級(jí)內(nèi)存。
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  • NAND閃存有壽命，那DRAM內(nèi)存也有壽命說(shuō)法嗎？
    這是一個(gè)NAND閃存的Cell，也就是用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元。NAND?閃存的存儲(chǔ)單元是浮柵晶體管，通過(guò)電子注入和釋放實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其?“壽命”?核心是擦寫次數(shù)（P/E Cycle）。
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  • 研報(bào) | 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價(jià)漲幅擴(kuò)大
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價(jià)格上漲，預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期，分別季增18-23%和13-18%。
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