SiC功率器件

• 成本降低30%！低溫銀燒結(jié)技術(shù)加速SiC器件規(guī)?；瘧?yīng)用

  導(dǎo)語 在工業(yè)電源、電動汽車與航空航天領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件的高效率與耐高溫特性正逐步替代傳統(tǒng)硅基器件。然而，SiC芯片的高功率密度與高溫運行需求，對封裝技術(shù)提出了前所未有的挑戰(zhàn)——傳統(tǒng)焊料在高溫下易疲勞失效，成為制約性能釋放的關(guān)鍵瓶頸。 銀燒結(jié)技術(shù)憑借低溫工藝與超高可靠性，成為解鎖SiC潛力的‘銀鑰匙’。愛仕特基于此技術(shù)開發(fā)的碳化硅模塊，已在多個應(yīng)用場景中驗證其性能優(yōu)勢，為行業(yè)提供高效、穩(wěn)

  愛仕特科技

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  04/01 08:28

  碳化硅 SiC功率器件

  
• 數(shù)億元！4家SiC企業(yè)獲得融資/貸款

  近日，國內(nèi)又有4家SiC企業(yè)完成新一輪融資/貸款，合計金額達數(shù)億元：11月26日，據(jù)“合肥高投”等消息，阿基米德半導(dǎo)體已正式完成數(shù)億元戰(zhàn)略輪融資，由陽光電源領(lǐng)投，仁發(fā)投資共同出資。目前，陽光電源持股比例為10.1695%，在股東中排名第三。

  行家說三代半

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  2024/11/29

  SiC SiC功率器件

  
• 三安、士蘭微等5個SiC項目公布新進展

  近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)新增5個碳化硅項目進展，包括士蘭微、三安半導(dǎo)體等。11月21日，據(jù)福建環(huán)保網(wǎng)公示，廈門士蘭明稼SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目已完成環(huán)保驗收，目前正在穩(wěn)定運行中。

  行家說三代半

  3969

  2024/11/26

  SiC 碳化硅

  
• 科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC

  全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆生產(chǎn)的EcoSiC?產(chǎn)品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”），被日本先進電源制造商COSEL CO., LTD. （以下簡稱“科索”）生產(chǎn)的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強制風(fēng)冷型“HFA系列”和傳導(dǎo)散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD，從而實現(xiàn)了最大94%的工作效率

  與非網(wǎng)編輯

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  2024/10/29

  羅姆 AC-DC

  
• 意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世：為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

  服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在 2027 年前推

  與非網(wǎng)編輯

  1498

  2024/09/27

  意法半導(dǎo)體 mems

  
• SiC功率器件之爭，8英寸是重要拐點？

  近期，全球主要SiC功率器件供應(yīng)商英飛凌宣布正式啟用其位于馬來西亞居林工廠第三廠區(qū)的8英寸SiC晶圓制造廠一期產(chǎn)線，并已為接下來的8英寸SiC功率器件的量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。英飛凌官方透露，這一項目總建筑面積為131477平方米，自2021年啟動，分兩期工程，分別為5年的建設(shè)期，其中一期工程投資20億歐元，未來二期項目投資額更高達50億歐元，目標(biāo)是建成全球規(guī)模最大且最高效的8英寸SiC功率器件晶圓廠。 馬

  高揚

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  2024/08/23

  電動汽車 英飛凌

  
• 碳化硅廠商，忙得不亦樂乎

  業(yè)界釋出碳化硅已然邁入高速增長期。從市場規(guī)模上看，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究指出，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。

  全球半導(dǎo)體觀察

  1704

  2024/07/25

  SiC 碳化硅

  

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