SK海力士

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Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商，源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存，2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商，也在整個半導(dǎo)體公司中占第九位。2019年9月5日，SK海力士設(shè)在中國無錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。2022年8月，媒體報道，海力士計劃在美國新建先進(jìn)芯片封裝廠，預(yù)計明年第一季度破土動工。

Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商，源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存，2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商，也在整個半導(dǎo)體公司中占第九位。2019年9月5日，SK海力士設(shè)在中國無錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。2022年8月，媒體報道，海力士計劃在美國新建先進(jìn)芯片封裝廠，預(yù)計明年第一季度破土動工。收起

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  • 民眾反對！6000億晶圓大廠項目延后29個月
    由于鄰近地方政府的反對，韓國京畿道龍仁市和SK海力士大幅改變了連接“半導(dǎo)體集群”的液化天然氣（LNG）熱電廠燃料供應(yīng)管道的建設(shè)路線。當(dāng)安城市將半導(dǎo)體集群指定為不受歡迎的設(shè)施并反對將其連接到城市的原始計劃時，龍仁市別無選擇，只能在城市內(nèi)開辟一條新路線，增加道路和其他設(shè)施。因此，原定于今年2月按照政府計劃投入運營的SK海力士半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，因遭到包括市政府在內(nèi)的地方政府和居民的反對，竣工日期至少被推遲了29個月。
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  • 超越三星? 存儲大廠Q1營業(yè)利潤超350億元
    盡管海力士?2025?年?Q1?財報尚未正式發(fā)布（Hynix?定于?4?月?24?日公布第一季度業(yè)績并召開電話會議）。DS投資證券預(yù)測SK海力士第一季度銷售額為17.6萬億韓元，營業(yè)利潤為6.9萬億韓元（353億元人民幣）。就營業(yè)利潤而言，這一數(shù)字比現(xiàn)有共識（市場平均預(yù)期）6.5萬億韓元高出5%。?結(jié)合行業(yè)趨勢與公司動態(tài)，從以下維度預(yù)判其表現(xiàn)。
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  • SK海力士DRAM市場份額首奪冠
    市場研究機(jī)構(gòu)Counterpoint最新報告顯示，2025年第一季度SK海力士以36%的市場份額首次超越三星電子（34%），成為全球DRAM市場新霸主。美光以25%的份額位居第三。這一歷史性突破主要得益于SK海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的絕對優(yōu)勢，其HBM市場份額高達(dá)70%。
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  • 280億晶圓大廠項目又推遲
    SK海力士位于美國印第安納州西拉斐特的HBM（高帶寬存儲器）工廠的開工建設(shè)持續(xù)被推遲。據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w?THE EXPONENT?報道，當(dāng)?shù)卣畬⑽骼程毓S（SK?海力士的半導(dǎo)體芯片制造工廠所在地）重新規(guī)劃為工業(yè)用地的法令再次被推遲至?5?月?5?日。
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  • SK海力士官宣加速研發(fā)HBM4E
    SK Hynix?承諾及時供應(yīng)?HBM4E?以及量產(chǎn)?HBM4 12?層，從而加速其在?HBM?市場的領(lǐng)先地位。SK海力士HBM（高帶寬存儲器）事業(yè)企劃副社長崔俊勇4月7日表示，“我們不僅將在今年量產(chǎn)12層HBM4（第6代HBM），還將適時供應(yīng)（第7代）HBM4E，以進(jìn)一步鞏固我們在HBM領(lǐng)域的領(lǐng)先地位”。
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